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[導讀] LDO的種類  LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點在于,LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)?! DO按其靜態(tài)耗流來分,分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產品。  Omn

 LDO的種類

  LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點在于,LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。

  LDO按其靜態(tài)耗流來分,分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產品。

  OmniPowerTM LDO的靜態(tài)電流在100mA-1mA,是一種靜態(tài)電流稍大但性能優(yōu)于三端穩(wěn)壓器的新型線性穩(wěn)壓器,適用于使用AC/DC固定電源的所有電子、電器產品。因其需求量大,生產量大,而生產成本極低,價格十分便宜。

  MicroPowerTM LDO的靜態(tài)電流在10mA-100mA,是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,它具有極低的自有噪音和較高的電源紋波抑制(PSRR),具有快捷的使能控制功能,給它一個高或低的電平可使它進入工作狀態(tài)或睡眠狀態(tài),具有最好的性能/功率比,適用于在需要低噪音的手機電源中使用。

  NanoPowerTM LDO的靜態(tài)電流小于10mA,通常只有1mA。是一種毫微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,具有極低的靜態(tài)電流,穩(wěn)壓十分精確,最適用于需要節(jié)電的手提電子、電器產品。

  見圖1。

  


 

  LDO的結構

  LDO的結構是一個微型的片上系統(tǒng),它由作電流主通道的、具有極低在線導通電阻RDS(ON)的MOSFET、肖特基二極管、取樣電阻、分壓電阻、過流保護、過溫保護、精密基準源、差分放大器、延遲器、POK MOSFET 等專用晶體管電路在一個芯片上集成而成。如圖2。

  

 

  POK(Power OK)是新一代LDO都具備的輸出狀態(tài)自檢、延遲安全供電功能,也有稱之為Power good即“電源好”。[!--empirenews.page--]
工作原理及效率

  LDO 的工作原理是通過負反饋調整輸出電流使輸出電壓保持不變。

  LDO是一個步降型的DC/DC 轉換器,因此Vin > Vout,它的工作效率一般為60-75%,靜態(tài)電流小的效率會好一些。

  LDO選擇原則

  當所設計的電路要求分路電源具有下列特點時:

  1) 低噪音、高紋波抑制;

  2) 占用PCB板面積小(如手機、手持電子產品);

  3) 電路電源不允許使用電感器(如手機);

  4) 電源需要具有瞬時校準和輸出狀態(tài)自檢功能;

  5) 要求穩(wěn)壓器低壓降、自身低功耗;

  6) 線路要求低成本和簡單方案;

  此時,選用LDO是最確當、最實用、最方便、最經濟的。

  應用簡介

  LDO的應用電路十分方便簡單,工作時僅需要二個作輸入、輸出電壓退耦降噪的陶瓷電容器,見圖3。

  

 

  Vin和Vout的輸入和輸出濾波電容器,應當選用寬范圍的、低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低價陶瓷電容器,使LDO在零到滿負荷的全部量程范圍內穩(wěn)壓效果穩(wěn)定。

  一些LDO有一個Bypass附加腳,由它連接一個小的電容器,可以進一步降低噪音。

  電容器的選擇關系到設計產品的質量和成本,電容器的電容值、電介質材料類型、物理尺寸、等效串聯(lián)電阻(ESR)等這些重要參數(shù)都是設計工程師所要考慮的。

  在LDO使用電路的設計中,陶瓷電容器是最好的選擇,因為陶瓷電容器無極性和具有低的ESR,典型值<100mΩ,電容器的ESR對輸出紋波有重大影響。

  ESR受電容器的類型、容量、電介質材料和外殼尺寸影響,如常用的貼片電容器X7R 電介質是最好的,但使用成本略高,X5R 電介質較好,性能/價格比適宜,而Y5V電介質較差,但成本較低。

  LDO在PCB板上的工藝走線十分重要,當工藝走線不良和靠近RF線時降噪性能會受影響。濾波電容器匯入地節(jié)點選擇不良時,由負載返回地的電流中,噪音和紋波都會增加。在通常的布線設計中常常遇到此類情況(圖4)。

  

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如將此布線線路優(yōu)化,則可在由負載返回地的電流中,噪音和紋波都降至最小(圖5)。

  

 

  理想的PCB板布線設計是接地點盡可能的粗短和走捷徑,走線一定要考慮各個器件間的干擾和輻射,器件的合理排列可有利于有效地減少各個器件間的相互干擾和輻射,如圖6所示。

  

 

  新一代的LDO都是用CMOS工藝生產的,它和使用Bipolar工藝生產的LDO功能上沒有多大的區(qū)別,可是靜態(tài)電流、壓降、噪音和成本等的內在性能有很大的提高(表1)。

  

 

  LDO的應用電路如圖7所示,可供參考。

  

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