硬開(kāi)關(guān)是不管開(kāi)關(guān)管上的電壓或電流，強(qiáng)行接通或關(guān)斷開(kāi)關(guān)管。當(dāng)開(kāi)關(guān)管(漏極和源極之間，或者集電極和發(fā)射極之間)的電壓及電流較大時(shí)，切換開(kāi)關(guān)管，由于開(kāi)關(guān)管狀態(tài)間的切換(由導(dǎo)通到截止，或由截止到導(dǎo)通)需要一定的時(shí)間，這樣就會(huì)造成在開(kāi)關(guān)管狀態(tài)切換的某一段時(shí)間內(nèi)，電壓和電流有一個(gè)交越區(qū)域，這個(gè)交越造成的開(kāi)關(guān)管損耗(開(kāi)關(guān)管的切換損耗)隨開(kāi)關(guān)頻率的提高而急速增加。

若是感性負(fù)載，在開(kāi)關(guān)晶體管關(guān)斷時(shí)會(huì)感應(yīng)出尖峰電壓。開(kāi)關(guān)頻率越高，關(guān)斷越快，該感應(yīng)電壓越高。此電壓加在開(kāi)關(guān)器件兩端，容易造成器件擊穿。

若是容性負(fù)載，在開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通瞬間的尖峰電流大。因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管在很高的電壓下接通時(shí)，儲(chǔ)存在開(kāi)關(guān)晶體管結(jié)電容中的能量將以電流形式全部耗散在該器件內(nèi)。頻率越高，開(kāi)通電流尖峰越大，從而會(huì)引起開(kāi)關(guān)管的過(guò)熱損壞。

另外，在次級(jí)高頻整流回路中的二極管，在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)，有一個(gè)反向恢復(fù)期，開(kāi)關(guān)晶體管在此期間內(nèi)接通時(shí)，容易產(chǎn)生很大的沖擊電流。顯然頻率越高，該沖擊電流也越大，對(duì)開(kāi)關(guān)晶體管的安全運(yùn)行造成危害。

最后，做硬開(kāi)關(guān)運(yùn)用的開(kāi)關(guān)電源中，開(kāi)關(guān)晶體管會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁騷擾。隨著頻率的提高和電路中的di/dt和du/dt增大，所產(chǎn)生的電磁騷擾也在增大，影響開(kāi)關(guān)電源本身和周圍電子設(shè)備的正常工作。

上述問(wèn)題嚴(yán)重阻礙了開(kāi)關(guān)器件(開(kāi)關(guān)晶體管和高頻整流二極管)工作頻率的提高。詳見(jiàn)廣州天鈊科技有限公司新聞動(dòng)態(tài)。近年來(lái)開(kāi)展的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)研究為克服上述缺陷提供了一條有效的途徑。和硬開(kāi)關(guān)工作原理不同，理想的軟關(guān)斷過(guò)程是電流先降小到零，電壓在緩慢上升到斷態(tài)值，所以關(guān)斷損耗近似為零。由于器件關(guān)斷前電流已經(jīng)下降到零，便解決了感性關(guān)斷問(wèn)題。理想的軟開(kāi)通過(guò)程是電壓先降到零，電流在緩慢上升到通態(tài)值，所以開(kāi)通損耗近似為零，器件結(jié)電容的電壓也為零，解決了容性開(kāi)通問(wèn)題。同時(shí)，開(kāi)通時(shí)，二極管反向恢復(fù)過(guò)程已經(jīng)結(jié)束，因此二極管反向恢復(fù)問(wèn)題不存在。

軟開(kāi)關(guān)技術(shù)還有助于電磁騷擾水平的降低，其原因是開(kāi)關(guān)晶體管在零電壓的情況下導(dǎo)通和在零電流的情況下關(guān)斷，同時(shí)快恢復(fù)二極管也是軟關(guān)斷的，這可以明顯減小功率器件的di/dt和du/dt，從而可以減小電磁干擾的電平。

一般來(lái)說(shuō)軟開(kāi)關(guān)的效率較高(因?yàn)闆](méi)有切換損);操作頻率較高，PFC或變壓器體積可以減少，所以開(kāi)關(guān)電源的體積可以做到更小。但成本也相對(duì)較高，設(shè)計(jì)較復(fù)雜。