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[導(dǎo)讀]3.4 光電耦合隔離與驅(qū)動(dòng)電路由于PWM波形頻率為15.6KHz,普通光耦如TLP521、4N25等由于輸出電容大,使得傳輸波形不夠陡峭,上升延遲十分明顯,所以不能采用這類光耦,而需采

3.4 光電耦合隔離與驅(qū)動(dòng)電路

由于PWM波形頻率為15.6KHz,普通光耦如TLP521、4N25等由于輸出電容大,使得傳輸波形不夠陡峭,上升延遲十分明顯,所以不能采用這類光耦,而需采用高速光耦,這里我們選用6N137。6N137是一款單通道的高速光耦合器,采用砷化鋁鎵(AlGaAs)作為發(fā)光材料,典型延遲時(shí)間為45ns。其內(nèi)部檢測器由一個(gè)光敏二極管、高增益線性運(yùn)放及一個(gè)肖特基二極管鉗位的集電極開路三極管組成。具有溫度、電流和電壓補(bǔ)償功能,高的輸入輸出隔離,LSTTL/TTL或者5V COMS兼容。其特性如下:

(1) 轉(zhuǎn)換速率高達(dá)10MBit/s;

(2) 壓擺率高達(dá)10kV/μs

(3) 邏輯電平輸入,集電極開路輸出。

其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳如圖3-5所示:

 

 

圖3-5 6N137內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳圖

2、3腳為輸入端,8腳VCC為輸出端供電電壓,最大值為7V。7腳為使能端,內(nèi)部已上接,在懸空時(shí)為正常輸出。6腳為集電極開路輸出引腳。5腳接地。由6N137構(gòu)成的隔離驅(qū)動(dòng)電路如圖3-6所示(其中一路)。

 

 

圖3-6 光電耦合及驅(qū)動(dòng)電路

相關(guān)參數(shù)計(jì)算如下:

1) 限流電阻計(jì)算。

根據(jù)6N137資料手冊,其內(nèi)部發(fā)光二極管導(dǎo)通電流為5mA,最大不超過15mA,選7.5mA,導(dǎo)通壓降為1.4V(典型值)。假設(shè)輸入信號(hào)高電平為5V,則限流電阻

,實(shí)際取510Ω。

 

2) 輸出上拉電阻選擇。

由于MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓為10-20V,這里我們?nèi)?5V,因此V1對(duì)該路驅(qū)動(dòng)地G1的電壓即為15V。由于6N137工作電壓為5V,最大不能超過7V,因此需進(jìn)行穩(wěn)壓處理。6N137工作電流為50mA,因此選用了TO-92封裝的5V穩(wěn)壓芯片LM78L05,該芯片輸出電流為100mA,完全能夠滿足要求,且體積小。由于光耦輸出與輸入反相,為使其驅(qū)動(dòng)信號(hào)與輸入信號(hào)同相,加入Q2組成的反相器Q2同時(shí)也起著增加驅(qū)動(dòng)能力的作用。Q2的基極偏置電阻R2的選擇即要滿足光耦輸出三極管快速開關(guān)的要求,也要避免對(duì)Q2驅(qū)動(dòng)不足。過大時(shí)會(huì)使上升沿變慢,過小時(shí)Q2不能完全飽和導(dǎo)通,都將對(duì)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生不利。綜合考慮,選擇10kΩ。

二極管D2和電容C10并聯(lián)后,串入Q2的發(fā)射極,用于加快Q2的關(guān)斷過程,使上升沿陡峭,以減小MOSEFT的開關(guān)損耗。MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)采用互補(bǔ)的三極管S8050和S8550構(gòu)成圖騰柱式輸出,輸出內(nèi)阻小,開關(guān)速度快,并且能提供較大的充電電流。該三極管最大電流為1.5A,TO92封裝,可滿足要求。

3.5 驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)

3.4.1 驅(qū)動(dòng)電源要求及電路形式

根據(jù)H橋的工作特點(diǎn),采用隔離驅(qū)動(dòng)時(shí),最少需要3路相互隔離的驅(qū)動(dòng)供電電源。且還要在輸入電壓在18-30V波動(dòng)時(shí),驅(qū)動(dòng)電源電壓都應(yīng)穩(wěn)定在15V不變。這一功能由開關(guān)電源來實(shí)現(xiàn)。開關(guān)電源最突出的特點(diǎn)是體積小,效率高,不足之處是輸出紋波較大、干擾和噪聲都比較嚴(yán)重。對(duì)于本系統(tǒng),驅(qū)動(dòng)電源的主要要求是能穩(wěn)壓和隔離,紋波可以通過加大濾波電容和濾波電感來得到改善。

開關(guān)電源形式有多種,考慮到電路結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和制作的難易程度,我們選擇由SG3525構(gòu)成的推挽式隔離DC-DC。

SG3525是用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET的電流型PWM控制器。結(jié)構(gòu)上有電壓環(huán)和電流環(huán)雙環(huán),因此,無論開關(guān)電源的電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率和瞬態(tài)響應(yīng)特性都較提高,是比較理想的PWM控制器。

SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖如圖3-7所示。

 

 

圖 3-7 SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖

DIP封裝的SG3525各引腳功能描述如下:

1.Inv.input(引腳1):誤差放大器反向輸入端。

2.Noninv.input(引腳2):誤差放大器同向輸入端。

3.Sync(引腳3):振蕩器外接同步信號(hào)輸入端。

4.OSC.Output(引腳4):振蕩器輸出端。

5.CT(引腳5):振蕩器定時(shí)電容接入端。

6.RT(引腳6):振蕩器定時(shí)電阻接入端。

7.Discharge(引腳7):振蕩器放電端。該端與引腳5之間外接一只放電電阻,構(gòu)成放電回路。

8.Soft-Start(引腳8):軟啟動(dòng)電容接入端。

9.Compensation(引腳9):PWM比較器補(bǔ)償信號(hào)輸入端。

10.Shutdown(引腳10):外部關(guān)斷信號(hào)輸入端。接高電平時(shí)輸出被禁止。

11.Output A(引腳11):輸出端A。

12.Ground(引腳12):信號(hào)地。

13.Vc(引腳13):輸出級(jí)供電電壓接入端。

14.Output B(引腳14):輸出端B。和引腳11互補(bǔ)輸出端。

15.Vcc(引腳15):電源接入端,工作范圍為8-40V。

16.Vref(引腳16):基準(zhǔn)電源輸出端。該端可輸出一溫度穩(wěn)定性極好的5.1V(精度1.0%)基準(zhǔn)源。

SG3525 內(nèi)置了5.1V精密基準(zhǔn)源,微調(diào)至 1.0%,在誤差放大器共模輸入電壓范圍內(nèi),無須外接分壓電組。在CT引腳和Discharge引腳之間加入一個(gè)電阻就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)死區(qū)時(shí)間的調(diào)節(jié)功能。SG3525的軟啟動(dòng)接入端(引腳8)上接一個(gè)電容即可實(shí)現(xiàn)軟件啟動(dòng)?;鶞?zhǔn)電壓接在誤差放大器的同相輸入端上,將輸出電壓的采樣電壓加在誤差放大器的反相輸入端上。當(dāng)輸出電壓因輸入電壓的升高或負(fù)載的變化而升高時(shí),誤差放大器的輸出將減小,PWM脈寬變窄,輸出晶體管的導(dǎo)通時(shí)間也變短,從而使輸出電壓回落到額定值,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)。反之亦然。[!--empirenews.page--]

當(dāng)Shutdown(引腳10)上的信號(hào)為高電平時(shí),禁止SG3525的輸出,同時(shí),軟啟動(dòng)電容將開始放電。如果該高電平持續(xù),軟啟動(dòng)電容將充分放電,直到關(guān)斷信號(hào)結(jié)束,才重新進(jìn)入軟啟動(dòng)過程。為防止外部干擾信號(hào)耦合而影響SG3525的正常工作,Shutdown引腳應(yīng)通過接地電阻可靠接地。

由SG3525構(gòu)成的推挽式隔離DC-DC如圖 3-8所示

 

 

圖3-8 SG3525構(gòu)成的推挽式隔離DC-DC

U1LM78012及其外圍的電路構(gòu)成SG3525的供電電路,將18-30V的直流轉(zhuǎn)為穩(wěn)定的12V給SG3525供電。SG3525內(nèi)部5.1V(從16腳輸出)參考源經(jīng)R4和R5分壓后接到誤差放大器的同相輸入端,作為其參考源。R6、R7、C13構(gòu)成振蕩電路,其頻率由下式計(jì)算得到。

 

,取C13=2.2nF,R6=4.7k,R7=10,則fosc=144kHz,輸出頻率為振蕩頻率的一半,為72kHz。R9與C16構(gòu)成補(bǔ)償電路。C17為軟啟動(dòng)電容。R11為將關(guān)斷腳,直接接地使3525工作可靠穩(wěn)定。由于驅(qū)動(dòng)電源提供的功率并不是很大,這里為了簡便,我們選用和H橋同型號(hào)的MOSFET:IRF540。其主要參數(shù):VDS=100V,ID=28A,RDS(on)=77mΩ。

3.4.2 推挽變壓器設(shè)計(jì)

在確定了隔離DC-DC的電路形式和工作頻率后,還需確定輸出功率才能計(jì)算推挽變壓器參數(shù)。驅(qū)動(dòng)電源提供的功率取決于H橋MOSFET的參數(shù),而H橋的MOSFET又與電源電壓和電機(jī)的額定功率額定電流有關(guān)。電機(jī)供電電壓為18-30V,電機(jī)額定電流4.9A,而電機(jī)啟動(dòng)電流約為額定電流的5倍左右,約為25A。經(jīng)查閱場效應(yīng)管手冊,選擇IRF540,其主要參數(shù)已在上節(jié)介紹過。 由于對(duì)場效應(yīng)管的控制實(shí)質(zhì)是對(duì)輸入電容的充放電控制,驅(qū)動(dòng)線路的負(fù)載為容性。由于電容上電荷的保持作用,理論上講驅(qū)動(dòng)電路無需提供持續(xù)電流,但為使場效應(yīng)管快速開通,需要提供足夠的充電電流。場效應(yīng)管的充電電流IC由下式確定

 

 

式中 CGS-柵極到源極的電容(pF);

Ciss-輸入電容(pF);

Crss-反饋電容(pF);

VGS-柵極到源極電壓(V);

tr’-輸入脈沖上升時(shí)間(ns)。

對(duì)IRF540,Ciss=2600pF,Crss=100pF,則CGS=2500pF。

tr’由下式確定:

 

(3-4)

 

式中 Rg-脈沖驅(qū)動(dòng)回路的電阻(Ω);

Ciss-輸入電容(pF)。

Rg=20Ω,Ciss=2600pF,則tr’=114ns。代入式3-2中,得到IC=200mA。因此驅(qū)動(dòng)電源提供的瞬時(shí)功率至少為P=15V×200mA=7.5W(實(shí)際輸出功率可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于此值)。由于有3路隔離輸出,因此設(shè)計(jì)輸出最大功率為24W,頻率取上節(jié)計(jì)算的72kHz。知道輸出功率和頻率后,便可對(duì)變壓器參數(shù)進(jìn)行計(jì)算。

1) 計(jì)算初級(jí)匝數(shù)

由電磁感應(yīng)定律可得:

 

(3-5)

 

Up是加于變壓器原邊繞組的電源電壓的有效值,為24V, f=72kHz

3) 變壓器繞法

為減小漏感和高頻趨膚效應(yīng),采用“三明治”繞法,初級(jí)和次級(jí)組都由多股并繞。具體繞法如下:初級(jí)分兩層,第一層的13T繞在最里面,再纏次級(jí)繞組的三個(gè)繞組,最后再纏初級(jí)的13T。每一層都均勻分布的繞,層與層之間用絕緣膠隔開。這樣得到的漏感最小,實(shí)際的測試效果也表明了這一點(diǎn)。輸出濾波電感和電容的選擇計(jì)算從略,原理圖見圖3-9。輸出電壓經(jīng)R13和R14分壓濾波后,反饋到SG3525的1腳,實(shí)現(xiàn)閉環(huán)穩(wěn)壓輸出。

 

 

圖3-9 輸出整流濾波及反饋電路

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