所示為SHM115011型集成功率放大器，屬于BiMOS（BJT-MOSFET組合）型。從圖10-11
(a)所示內(nèi)部電路中可見(jiàn)，VT1和VT2組成差動(dòng)輸入級(jí)，其電路形式為單端輸入雙端輸出結(jié)構(gòu)。VT1的
輸出與VT5的基極相連；VI2管輸出經(jīng)VT4、島組成的電壓跟隨器的緩沖放大與VT5的發(fā)射極相連，這
里插入電壓跟隨器的目的是為了克服發(fā)射極輸入時(shí)的等效阻抗太低的缺點(diǎn)。VT5則以電流源I2作為有源負(fù)
載構(gòu)成了高增益的中間放大級(jí)，同時(shí)該電路形式為最簡(jiǎn)單的雙端輸入單端輸出結(jié)構(gòu)。VT7、VT8構(gòu)成互補(bǔ)
對(duì)稱(chēng)電路，作為驅(qū)動(dòng)級(jí)，用于驅(qū)動(dòng)vr9和VTIQ構(gòu)成輸出級(jí)。
    VT6、R9、RlO組成恒壓源電路，其作用是為VT7、VT8提供適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷?，以防止VT9、VT10
產(chǎn)生交越失真。
    Rf和Rz構(gòu)成反饋網(wǎng)絡(luò)，并引入電壓串聯(lián)負(fù)反饋，從而達(dá)到穩(wěn)定增益和靜態(tài)工作點(diǎn)的目的。
    SHMll50Ⅱ型電路由于輸出級(jí)采用了VMOS管，輸出功率得到很大提高。該電路可在±12--士50v
電壓下正常工作，電路的最大輸出功率可達(dá)150W。