在第一章的OTL功放電路中曾介紹過(guò)集電極自舉電路，它通過(guò)自舉電容的充電作用
將集電極電壓提高，使輸出管在信號(hào)的正半周輸出電壓與負(fù)半周輸出電壓對(duì)稱(chēng)。除此以
外，集電極自舉還能提高電路的輸入阻抗和提高電路增益。當(dāng)然，由于自舉電容的影響，
電路的低頻響應(yīng)會(huì)受到一定限制。在高保真音響電路中應(yīng)適當(dāng)限制其應(yīng)用o
    除了集電極自舉外，還有基極自舉電路，利用基極自舉可以提高放大器的輸入阻抗。
在圖8-9的射極輸出電路中，若不考慮偏置電阻Rbl、‰的分流作用，其輸入阻抗可用
R；=rbe+（1+盧）R A表示。
    但Rbl砘對(duì)基極的分流作用實(shí)際上是存在的，不能不予考慮，因此電路的輸入電阻
必然要改變。對(duì)于交流信號(hào)來(lái)說(shuō)，基極偏置電阻Rb1與Rk是并聯(lián)的，其并聯(lián)阻值為R b=
Rtl∥R b2，電路的實(shí)際輸入阻抗為Ri=R:∥R b，如圖8—9(b)o在圖(b)中，若取晶體管
的盧=100,Re.RL按圖(a)中所給數(shù)值，按式R與rk+（王+盧）．R：計(jì)算，Re= Re∥RL=
1kCI’，be -  11dl，則：R:=102kflo若按旯i=R j∥R b來(lái)計(jì)算，由于Rb=Rbl∥R b2=
20kCI，則Ri= 17kflo可見(jiàn)，實(shí)際輸入阻抗R比群小樗多。