按用中的參數(shù)，”戈i蘋為20kliz越50kliz。功率什戈管為MOSEFT，額
定電勝50v。替果J{j BU271  MOSI:FT．¨r控制-卜均電流為8A的電機：若采用
BUZ n，則可咀控制半均電流為20A的電機若功率MOSVET并聯(lián)璉接，則可
進班降低導通電阻，減少飽和損耗，荇果丌】集成電路驅(qū)動功率MOSFET．ⅥU驅(qū)
動電流小，Jr關損耗★．因此，有必要降低PWM頻率。電容C用于抑制電源引
線電感產(chǎn)啦的電動勢，