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智能駕駛技術(shù)快速迭代，ADAS環(huán)視系統(tǒng)作為車輛周邊環(huán)境感知的核心模塊，對(duì)圖像傳感器的性能提出了嚴(yán)苛要求。其中，噪聲抑制能力直接影響系統(tǒng)在低光照、強(qiáng)干擾等極端場(chǎng)景下的可靠性。本文從技術(shù)原理、工程實(shí)踐及未來(lái)趨勢(shì)三個(gè)維度，對(duì)比...
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CMOS
CCD
中國(guó)上海，2025年7月29日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)...
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CMOS
運(yùn)算放大器
可穿戴設(shè)備
太赫茲（THz）波段位于微波與紅外光之間，具有獨(dú)特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、安全檢測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，太赫茲射頻前端作為太赫茲系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，其集成面臨諸多挑戰(zhàn)。砷化銦高電子遷移率晶體管（...
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太赫茲
InP HEMT
CMOS
量子計(jì)算邁向?qū)嵱没倪M(jìn)程，量子-經(jīng)典混合芯片架構(gòu)成為突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵路徑。超導(dǎo)量子比特雖具備高速門操作與可擴(kuò)展性優(yōu)勢(shì)，但其運(yùn)行需在毫開(kāi)爾文級(jí)低溫環(huán)境中維持量子態(tài)相干性;而CMOS控制電路則依賴室溫環(huán)境下的成熟工藝與高集...
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量子計(jì)算
CMOS
為增進(jìn)大家對(duì)BiCMOS技術(shù)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。
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BiCMOS
指數(shù)
CMOS
有關(guān)開(kāi)發(fā)人員如何通過(guò)在RAM中執(zhí)行時(shí)間敏感功能而不是從Flash中執(zhí)行時(shí)間敏感功能來(lái)加快其應(yīng)用程序代碼的文章。您可能想知道是否要進(jìn)行這樣的調(diào)整，表現(xiàn)會(huì)發(fā)生什么變化?答案會(huì)根據(jù)微控制器的制造技術(shù)而有所不同，但是開(kāi)發(fā)人員可以...
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RAM
績(jī)效改進(jìn)
現(xiàn)在的FPGA不僅包含以前的LE,RAM也更大更快更靈活，管教IOB也更加的復(fù)雜，支持的IO類型也更多，而且內(nèi)部還集成了一些特殊功能單元。
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FPGA
RAM
CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動(dòng)器、列驅(qū)動(dòng)器、時(shí)序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成,這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。
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CMOS
圖像傳感器
在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中...
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CMOS
寬帶隙半導(dǎo)體
在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中，STM32系列微控制器因其高性能、低功耗和豐富的外設(shè)資源而廣受歡迎。然而，隨著應(yīng)用需求的不斷增長(zhǎng)，內(nèi)部RAM的容量往往成為限制系統(tǒng)性能的一個(gè)瓶頸。為了解決這個(gè)問(wèn)題，開(kāi)發(fā)者通常會(huì)將堆（Heap）配置...
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STM32
RAM
RAM和ROM等存儲(chǔ)單元的物理地址映射是由做硬件的數(shù)字工程師確定，他們?cè)趧澐謺r(shí)主要會(huì)考慮電路的延遲，將這些儲(chǔ)存單元按照一定的方式掛在同一條AHB總線上。而嵌入式平臺(tái)軟件工程師可以通過(guò)修改鏈接腳本來(lái)設(shè)置哪些數(shù)據(jù)、代碼在程序...
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RAM
ROM
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，程序代碼的運(yùn)行位置是一個(gè)至關(guān)重要的問(wèn)題。傳統(tǒng)的觀念認(rèn)為，程序代碼必須從FLASH存儲(chǔ)器搬到RAM中運(yùn)行，以提高執(zhí)行速度和效率。然而，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，這一觀念正在受到挑戰(zhàn)。本文將深入探討嵌入式系統(tǒng)中程...
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嵌入式系統(tǒng)
Flash
RAM
ROM和RAM是人盡皆知的概念。即：RAM(random access memory)隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存 ，這種bai存儲(chǔ)器在斷電時(shí)du將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。ROM(Read-Only Memory...
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RAM
ROM
嵌入式
類似的原理也可以應(yīng)用于任何使用差動(dòng)信號(hào)的高速接口技術(shù)。事實(shí)上,隨著數(shù)據(jù)傳輸速度的加快,需要增加對(duì)這些項(xiàng)目的關(guān)注。隨著數(shù)據(jù)速率進(jìn)入Gbps范圍,過(guò)程和板幾何形狀變得更小,在短得多的傳輸距離時(shí),串?dāng)_等不必要的影響會(huì)成為一個(gè)問(wèn)...
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AD轉(zhuǎn)換器
CMOS
在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)空間,目前主要有三種類型的數(shù)字輸出使用的ADC制造商。如本文之前部分所述,這三種輸出是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差動(dòng)信令(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。
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AD轉(zhuǎn)換器
CMOS
目前，已經(jīng)有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)編寫(xiě)來(lái)定義LVDS接口。最常用的ANSI/TIA/EIA-644規(guī)范,題為"低壓差動(dòng)信令(LVDS)接口電路的電氣特性。另一種是題為"用于可伸縮相干接口的低壓差動(dòng)信號(hào)(LVDS...
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AD轉(zhuǎn)換器
CMOS
由于設(shè)計(jì)者可以選擇許多類似數(shù)字轉(zhuǎn)換器,在選擇過(guò)程中需要考慮的一個(gè)重要參數(shù)是包括的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出類型。目前,高速轉(zhuǎn)換器使用的三種最常見(jiàn)的數(shù)字輸出類型是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓微分信號(hào)(LVDS)和電流模式邏輯(...
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AD轉(zhuǎn)換器
CMOS
當(dāng)前端側(cè)AI正在快速落地推進(jìn)，而智能車載領(lǐng)域尤為活躍，特別是在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，智能車載的快速發(fā)展引人注目。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2023年至2029年，全球車載攝像頭市場(chǎng)規(guī)模將從57億美元增至84億美元。但目前車載視覺(jué)系統(tǒng)方案尚未統(tǒng)...
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ISP
AI視覺(jué)
飛凌微
圖像傳感器
CMOS
SoC
