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[導(dǎo)讀]由美國(guó)Microchip公司生產(chǎn)的PIC系列單片機(jī),由于其超小型、低功耗、低成本、多品種等特點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、儀器、儀表、通信、家電、玩具等領(lǐng)域,本文總結(jié)了作者在PI

由美國(guó)Microchip公司生產(chǎn)的PIC系列單片機(jī),由于其超小型、低功耗、低成本、多品種等特點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、儀器、儀表、通信、家電、玩具等領(lǐng)域,本文總結(jié)了作者在PIC單片機(jī)開發(fā)過(guò)程中的一些經(jīng)驗(yàn)、技巧,供同行參考。

1 怎樣進(jìn)一步降低功耗

功耗,在電池供電的儀器儀表中是一個(gè)重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機(jī)本身的功耗較低(在5V,4MHz振蕩頻率時(shí)工作電流小于2mA)。為進(jìn)一步降低功耗,在保證滿足工作要求的前提下,可采用降低工作頻率的方法,工作頻率的下降可大大降低功耗(如PIC16C××在3V,32kHz下工作,其電流可減小到15μA),但較低的工作頻率可能導(dǎo)致部分子程序(如數(shù)學(xué)計(jì)算)需占用較多的時(shí)間。在這種情況下,當(dāng)單片機(jī)的振蕩方式采用RC電路形式時(shí),可以采用中途提高工作頻率的辦法來(lái)解決。

具體做法是在閑置的一個(gè)I/O腳(如RB1)和OSC1管腳之間跨接一電阻(R1),如圖1所示。低速狀態(tài)置RB1=0。需進(jìn)行快速運(yùn)算時(shí)先置RB1= 1,由于充電時(shí),電容電壓上升得快,工作頻率增高,運(yùn)算時(shí)間減少,運(yùn)算結(jié)束又置RB1=0,進(jìn)入低速、低功耗狀態(tài)。工作頻率的變化量依R1的阻值而定(注意R1不能選得太小,以防振蕩電路不起振,一般選取大于5kΩ)。

另外,進(jìn)一步降低功耗可充分利用“sleep”指令。執(zhí)行“sleep”指令,機(jī)器處于睡眠狀態(tài),功耗為幾個(gè)微安。程序不僅可在待命狀態(tài)使用 “sleep”指令來(lái)等待事件,也可在延時(shí)程序里使用(見例1、例2)。在延時(shí)程序中使用“sleep”指令降低功耗是一個(gè)方面,同時(shí),即使是關(guān)中斷狀態(tài),Port B端口電平的變化可喚醒“sleep”,提前結(jié)束延時(shí)程序。這一點(diǎn)在一些應(yīng)用場(chǎng)合特別有用。同時(shí)注意在使用“sleep”時(shí)要處理好與WDT、中斷的關(guān)系。

 

 

例1(用Mplab-C編寫) 例2(用Masm編寫)

Delay() Delay

{ ;此行可加開關(guān)中斷指令

/*此行可加開關(guān)中斷指令*/ movlw.10

for (i=0; i《=10; i ) movwf Counter

SLEEP(); Loop1

} Sleep

decfsz Counter

goto Loop1

return

2 注意INTCON中的RBIF位

INTCON中的各中斷允許位對(duì)中斷狀態(tài)位并無(wú)影響。當(dāng)PORT B配置成輸入方式時(shí),RB《7:4》引腳輸入在每個(gè)讀操作周期被抽樣并與舊的鎖存值比較,一旦不同就產(chǎn)生一個(gè)高電平,置RBIF=1。在開 RB中斷前,也許RBIF已置“1”,所以在開RB中斷時(shí)應(yīng)先清RBIF位,以免受RBIF原值的影響,同時(shí)在中斷處理完成后最好是清RBIF位。

3 用Mplab-C高級(jí)語(yǔ)言寫PIC單片機(jī)程序時(shí)要注意的問(wèn)題

3.1 程序中嵌入?yún)R編指令時(shí)注意書寫格式 見例3。

例3

…………

while(1) {#asmwhile(1) {

…… #asm /*應(yīng)另起一行*/

#endasm ……

}/*不能正確編譯*/ #endasm

…… }/*編譯通過(guò)*/

……

當(dāng)內(nèi)嵌匯編指令時(shí),從“#asm”到“endasm”每條指令都必須各占一行,否則編譯時(shí)會(huì)出錯(cuò)。

3.2 加法、乘法的最安全的表示方法 見例4。

例4

#include《16c71.h》

#include《math.h》

unsigned int a, b;

unsigned long c;

void main()

{ a=200;

b=2;

c=a*b;

} /*得不到正確的結(jié)果c=400*/

原因是Mplab-C以8×8乘法方式來(lái)編譯c=a*b,返回單字節(jié)結(jié)果給c,結(jié)果的溢出被忽略。改上例中的“c=a*b;”表達(dá)式為“c=a;c=c*b;”,最為安全(對(duì)加法的處理同上)。

3.3 了解乘除法函數(shù)對(duì)寄存器的占用

由于PIC片內(nèi)RAM僅幾十個(gè)字節(jié),空間特別寶貴,而Mplab-C編譯器對(duì)RAM地址具有不釋放性,即一個(gè)變量使用的地址不能再分配給其它變量。如 RAM空間不能滿足太多變量的要求,一些變量只能由用戶強(qiáng)制分配相同的RAM空間交替使用。而Mplab-C中的乘除法函數(shù)需借用RAM空間來(lái)存放中間結(jié)果,所以如果乘除法函數(shù)占用的RAM與用戶變量的地址重疊時(shí),就會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)不可預(yù)測(cè)的結(jié)果。如果C程序中用到乘除法運(yùn)算,最好先通過(guò)程序機(jī)器碼的反匯編代碼(包含在生成的LST文件中)查看乘除法占用地址是否與其它變量地址有沖突,以免程序跑飛。Mplab-C手冊(cè)并沒(méi)有給出其乘除法函數(shù)對(duì)具體RAM地址的占用情況。例5是乘法函數(shù)對(duì)0×13、0×14、0×19、0×1A地址占用情況。

部分反匯編代碼

#include 《pic16c71》01A7081FMOVF 1F,W

#include《math.h》01A80093MOVWF 13

;借用

unsigned long Value @0x101A90820MOVF 20,W

char Xm @0x2d;01AA0094MOVWF 14

;借用

void main()01AB082DMOVF 2D,W

{Value=20;01AC0099MOVWF 19

;借用

Xm=40;01AD 019ACLRF1A

;借用

Value=Value*Xm01AE235FCALL 035Fh

;調(diào)用乘法函數(shù)

……01AF1283BCF 03,5

}01B0009FMOVWF 1F

;返回結(jié)果低字節(jié)

01B10804MOVF 04,W

01B200A0MOVWF 20

;返回結(jié)果高字節(jié)

4 對(duì)芯片重復(fù)編程

對(duì)無(wú)硬件仿真器的用戶,總是選用帶EPROM的芯片來(lái)調(diào)試程序。每更改一次程序,都是將原來(lái)的內(nèi)容先擦除,再編程,其過(guò)程浪費(fèi)了相當(dāng)多的時(shí)間,又縮短了芯片的使用壽命。如果后一次編程的結(jié)果較前一次,僅是對(duì)應(yīng)的機(jī)器碼字節(jié)的相同位由“1”變成“0”,就可在前一次編程芯片上再次寫入數(shù)據(jù),而不必擦除原片內(nèi)容。

在程序的調(diào)試過(guò)程中,經(jīng)常遇到常數(shù)的調(diào)整,如常數(shù)的改變能保證對(duì)應(yīng)位由“1”變“0”,都可在原片內(nèi)容的基礎(chǔ)繼續(xù)編程。另外,由于指令“NOP”對(duì)應(yīng)的機(jī)器碼為“00”,調(diào)試過(guò)程中指令的刪除,先用“NOP”指令替代,編譯后也可在原片內(nèi)容上繼續(xù)編程。

另外,在對(duì)帶EPROM的芯片編程時(shí),特別注意程序保密狀態(tài)位。廠家對(duì)新一代帶EPROM芯片的保密狀態(tài)位已由原來(lái)的EPROM可擦型改為了熔絲型,一旦程序代碼保密熔絲編程為“0”,可重復(fù)編程的 EPROM 芯片就無(wú)法再次編程了。使用時(shí)應(yīng)注意這點(diǎn),以免造成不必要的浪費(fèi)。

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