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[導(dǎo)讀]Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08,可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。新的VBUS0

Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08

Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08,可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內(nèi)可提供3路USB ESD保護(hù),在12V工作電壓范圍內(nèi)提供1路VBUS保護(hù)。

 

VBUS053BZ-HNH-G-08采用無鉛的LLP1713-9M,封裝,具有0.6mm的超低外形,可在高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中減少有源ESD保護(hù)所需的電路板空間,如USB 2.0,HDTV及便攜式游戲機(jī)、MP3播放器和手機(jī)等移動(dòng)電子設(shè)備中的HDMI端口。

新器件的D+、D-和ID三條數(shù)據(jù)線的容值低至0.7pF,在3.3V工作電壓下的最大漏電流為0.085μA,5.5V電壓下的漏電流為 1μA。陣列對負(fù)瞬態(tài)的最大鉗位電壓大于4.1V,在3A電流下,可對數(shù)據(jù)線上的正瞬態(tài)提供小于18V的鉗位電壓。對于VBUS線,VBUS053BZ- HNH-G-08在8A電流時(shí)的最大鉗位電壓為30V。

VBUS053BZ-HNH-G-08可提供per IEC 61000-4-2(ESD)規(guī)定的12kV(空氣放電)和15kV(接觸放電)瞬態(tài)保護(hù),浪涌電流保護(hù)符合IEC 6100-4-5標(biāo)準(zhǔn),可達(dá)3A。

這款無鉛器件采用無鹵素的模壓化合物,符合RoHS 2002/95/EC和 WEEE 2002/96/EC規(guī)范。

新款USB-OTG總線端口保護(hù)陣列現(xiàn)可提供樣品,將于2010年第一季度量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。

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