意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 單晶片，該元件整合 EMI 濾波與靜電放電(ESD)保護(hù)功能，適用于配備SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡的手機(jī)、平板電腦和3G無(wú)線網(wǎng)卡。

EMIF06-MSD03F3採(cǎi)用微型封裝技術(shù)，相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，EMIF06-MSD03F3可支援插電式或機(jī)械式卡插入識(shí)別，這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員能夠自由選用最適合應(yīng)用設(shè)計(jì)和主機(jī)系統(tǒng)的卡識(shí)別方法。新產(chǎn)品還內(nèi)建提升電阻(pull up resistor)，當(dāng)無(wú)卡插入時(shí)確保系統(tǒng)特性正常;此外還整合了可濾除GSM干擾訊號(hào)的EMI濾波器。

EMIF06-MSD03F3的主要特性：±15kV ESD保護(hù)電路(IEC 61000-4-2);保護(hù)SD卡的全部資料線和電源線;7pF最大負(fù)載電容;16-bump 0.4mm間間距晶圓級(jí)封裝(WLCSP);採(cǎi)用0.4mm間距WLCSP封裝，尺寸僅1.54 x 1.54mm，并採(cǎi)用ST獨(dú)有的IPAD(Integrated Passive and Active Device technology)整合被動(dòng)和主動(dòng)元件技術(shù)。

根據(jù)Strategy Analytics內(nèi)建記憶卡的手機(jī)市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，截至2013年，約5億臺(tái)手機(jī)將內(nèi)建UHS-I 相容SD卡。UHS類記憶卡擁有最高2 Terabyte的儲(chǔ)存容量，其高速的儲(chǔ)存性能可提升消費(fèi)者的使用體驗(yàn)，如直接錄製高畫(huà)質(zhì)視訊、播放共用內(nèi)容或備份資料。

手指觸控手機(jī)會(huì)產(chǎn)生靜電放電現(xiàn)象，這些靜電可能會(huì)燒毀系統(tǒng)電路，因此卡內(nèi)暴露的針腳須具備靜電放電保護(hù)功能。為確保系統(tǒng)與記憶卡之間的通訊速度不受影響，設(shè)計(jì)人員必須根據(jù)特定介面的要求最佳化EMI濾波器與ESD保護(hù)晶片。意法半導(dǎo)體的新款晶片EMIF06-MSD03F3可保護(hù)資料速率高達(dá) 104MB/秒的UHS-I micro-SD記憶卡介面。