如果選用沒(méi)有穩(wěn)定狀態(tài)輸出（pg）功能的dc/dc，則可以外部增加1個(gè)電源監(jiān)測(cè)（svs）器件實(shí)現(xiàn)pg的功能，同時(shí)使 用p通道m(xù)osfet管作為電源分配開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)上電次序的控制，如圖1所示。
　圖1 采用p通道m(xù)osfet管和輸入電源監(jiān)測(cè)電路　　在上電過(guò)程中，i/o供電電源經(jīng)過(guò)mosfet管連接到外部電源上，外部電源通過(guò)dc/dc模塊變換后作為內(nèi)核電源。 dc/dc模塊為dsp內(nèi)核（或多個(gè)dsp）以及系統(tǒng)電路供電，根據(jù)需要可以選用線性電源也可以選用開(kāi)關(guān)電源。采用電 源監(jiān)測(cè)的方法，在外部輸人3.3 v電源達(dá)到監(jiān)測(cè)電路的閥值后，會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)zoo ms（一般情況）的低復(fù)位信號(hào) ，可以利用該復(fù)位信號(hào)控制ijo的上電。由于輸人電壓上電200 ms后i/o才上電，因此，只有系統(tǒng)上電20o ms內(nèi)內(nèi)核 供電電壓達(dá)到穩(wěn)定才能夠正確地控制上電次序，但對(duì)一般系統(tǒng)而言，200 ms是可以滿足要求的?！　≡诘綦娺^(guò)程中，電源監(jiān)測(cè)（svs）單元檢測(cè)到外部電壓斷開(kāi)，從而使reset輸出高電平關(guān)閉mosfet管，斷開(kāi)i/o單元 的供電電源。為了在i/o掉電后內(nèi)核電源才切斷，要求外部供電電路掉電時(shí)電壓是逐漸衰減的，只有這樣才能夠滿足系統(tǒng)的電源掉電次序?！　∩鲜龇椒ㄊ潜O(jiān)測(cè)系統(tǒng)的輸人電壓，實(shí)際上也可以選擇直接檢測(cè)dsp的內(nèi)核電壓，如圖2所示，這樣就不需要⒛0 ms的延時(shí)。在上電過(guò)程中，dsp內(nèi)核電壓正常200 ms后才會(huì)給i/o供電；在掉電過(guò)程中，一旦內(nèi)核電壓低于監(jiān)測(cè)電路的閥值將會(huì)自動(dòng)關(guān)閉mosfet管，斷開(kāi)i/o電源。
　圖2 采用p通道m(xù)osfet管和內(nèi)核電源監(jiān)測(cè)電路　　歡迎轉(zhuǎn)載，信息來(lái)源維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)（）