鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。

概述

到目前為止，富士通半導體已經開發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產品。這些產品最重要的特點就是它們內嵌FRAM。由于擦寫速度快、耐擦寫次數(shù)高，它們已經作為數(shù)據(jù)載體型被動RFID LSI而被全世界廣泛采用。

大存儲數(shù)據(jù)載體的優(yōu)勢就是RFID可以記錄可追溯數(shù)據(jù)，如制造數(shù)據(jù)、生產數(shù)據(jù)、物流數(shù)據(jù)、維護數(shù)據(jù)等，因此它可用于各種資產、產品和零部件的管理。由于大存儲數(shù)據(jù)載體具有這些優(yōu)勢，人們希望進一步利用FRAM RFID來連接傳感器等設備。

基于這些市場需求，我們開發(fā)出了一種帶有串行接口的技術;超高頻段RIFD LSI上的串行外圍接口(SPI)。

FRAM FRID LSI的附加值

FRAM是一種非易失性存儲器，使用鐵電材料作為數(shù)據(jù)載體，結合了隨機存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)的優(yōu)勢。作為用在RFID中的非易失性存儲器，電擦除可編程只讀存儲器(E2PROM)已經得到廣泛應用，但是當數(shù)據(jù)被寫入時，E2PROM需要內部升壓電壓，因為數(shù)據(jù)存儲的原則就是要看是否帶有電子電荷，所以它的寫入速度非常慢(需要數(shù)毫秒)，耐擦寫次數(shù)也僅限于10萬次。因此，大部分基于E2PROM的RFID LSI都是小存儲容量產品，只適合讀，不適合寫。

相比較而言，F(xiàn)RAM在寫和讀方面的性能一樣好，因為二者的原則一樣。FRAM本身的擦寫速度是100納秒，耐讀/寫次數(shù)是100億次。這就是FRAM RFID為什么可以作為數(shù)據(jù)載體提供大存儲容量的原因。

存儲容量大、擦寫速度快的RFID的最重要的優(yōu)勢在于，它可以在自己的存儲器上記錄數(shù)據(jù)，由此可以將數(shù)據(jù)處理方式從集中數(shù)據(jù)管理轉變?yōu)榉稚?shù)據(jù)管理。傳統(tǒng)的E2PROM RFID在很多情況下都采用集中管理的方式，在這種模式下，數(shù)據(jù)存在了服務器端，需要與標簽本身的ID相關聯(lián)。而FRAM RFID可以實現(xiàn)分散數(shù)據(jù)管理，數(shù)據(jù)可以存在標簽上，由此減輕了服務器的載荷。這種方式尤其適合工廠自動化(FA)和維修領域中的生產歷史管理。在工廠自動化領域中，有數(shù)百個流程都需要經常寫入數(shù)據(jù);在維修領域中，現(xiàn)場數(shù)據(jù)確認時也需要經常寫入數(shù)據(jù)，如維修歷史、零部件信息等，這樣就不需要詢問數(shù)據(jù)服務器。

FRAM的另一個主要特點，就是在防輻射方面明顯優(yōu)于E2PROM。例如，在醫(yī)療設備和包裝、食品或者亞麻布的伽瑪射線滅菌過程中，存在 E2PROM中的數(shù)據(jù)會受到放射線的嚴重影響，因為它的數(shù)據(jù)存儲采用的是電子電荷。而存在FRAM中的數(shù)據(jù)在高達45kGy的放射水平下仍然不會受到影響。

在RFID LSI上內置串行接口

FRAM RFID LSI上已經內置了串行接口，為作為數(shù)據(jù)載體的RFID提供了額外的功能。這種配置的主要特點就是，對于同一個FRAM存儲區(qū)來說，既可以從串行接口進入，也可以從RF接口進入。

通過串行接口與微控制器(以下將“微控制器”簡稱為“MCU”)相連后，F(xiàn)RAM可以作為MCU的外部存儲，并通過RF接口進入。因此，RFID閱讀器就可以閱讀MCU寫過的存儲數(shù)據(jù)，而對于MCU來說，就可以閱讀參數(shù)數(shù)據(jù)，如通過RF接口編寫的運行環(huán)境。

例如，我們可以假設傳感器與MCU相連，那么就可以將RFID看作是一種傳感器標簽。在這種情況下，MCU會定期監(jiān)測傳感器數(shù)據(jù)，然后寫入 FRAM存儲器，過段時間后，就可以通過RF接口讀取所收集的可追溯數(shù)據(jù)。同時，也可將RFID看作MCU的參數(shù)存儲器。在這種情況下，MCU就是存在指定存儲區(qū)的一些參數(shù)，存儲區(qū)中的數(shù)據(jù)可以通過RF接口改寫，然后MCU就會改變間隔獲取傳感器數(shù)據(jù)，或者更改閃光燈的條件進行告知。就RFID和傳感器之間的結合而言，有源標簽也是個眾所周知的解決方案。但是有源標簽只是一種單向通訊模式，它沒有可供RF閱讀器日后讀取數(shù)據(jù)的存儲器。因此有源標簽不能作為數(shù)據(jù)載體記錄可追溯數(shù)據(jù)。

另一方面，F(xiàn)RAM RFID由于存儲容量大，能夠記錄可追溯數(shù)據(jù)，標簽不在RF區(qū)域時也可通過串行接口記錄數(shù)據(jù)。

除了傳感應用外，內置串行接口的RFID在理論上可以與受MCU控制的各種應用相連接。

實際應用可能包括對工廠設備狀態(tài)的監(jiān)測，比如壓力、流量等，或者游戲機、醫(yī)療設備等的歷史數(shù)據(jù)記錄。就目前掌握的信息來看，這些應用中，有些通過現(xiàn)有的技術(如非接觸式智能卡)就已經達到了應用要求，有些采用了我們的技術后在存儲容量、傳輸速度等方面還沒達到要求。

但是我們希望通過這一技術能發(fā)現(xiàn)RFID新的用途和應用，并能將該技術做進一步的測試，從而實現(xiàn)更多構想。

圖1 FRAM RFID 應用實例

關于串行接口使用的探討

從客戶的反饋來看，我們認識到還需要對串行接口連接的使用問題進行進一步的探討。其中的一個問題與電池有關，另一個就是通信距離。

RF數(shù)據(jù)傳輸是通過被動通信模式建立起來的，這就意味著電源由閱讀器或寫入器提供。這樣的話，串行數(shù)據(jù)傳輸就需要額外的電池。電池問題是有源標簽中的普遍問題，我們的技術在實際應用中有時被誤解為有源標簽。但不管怎樣，電池壽命是需要考慮的問題。

從這一點上來看，串行接口的功能最適合于機器或儀器中的嵌入式應用，因為這些應用中總是能提供穩(wěn)定的電源。但是，如果標簽被牢固地安裝和依附在一些可移動的資產或者物體上，電池管理就會成為問題，因為電池壽命結束時無法對電池進行更換。

因此，根據(jù)使用環(huán)境評估電池壽命顯得尤為重要，可以考慮一些充電設備，比如充電電池，或者利用一些能源發(fā)電的電池。如果在RF通信過程中能夠充電，在理論上應該是不錯的選擇，但是卻不實用，因為通信距離會受到嚴重破壞。

關于通信距離，眾所周知，阻抗匹配對于超高頻段至關重要，因為它決定了通信性能。因此必須考慮到，匹配阻抗會因為通過串行接口連接各種LSI和器件，或者因為安裝在電路板上，而受到嚴重影響。從上述情況來看，如果使用串行接口，與傳統(tǒng)的RFID標簽相比，天線設計可能會越來越復雜。[!--empirenews.page--]

未來發(fā)展

由于RFID代表射頻識別(RADIo Frequency IDentification)，RFID起初被用作可由RFID閱讀器讀取的ID存儲。富士通半導體將FRAM用在了RFID上，由于FRAM擦寫速度快、耐擦寫次數(shù)高而實現(xiàn)了大容量存儲的數(shù)據(jù)載體標簽。如今，內置串行接口的RFID增加了一項新功能，即時標簽不在RF區(qū)域，也可通過MCU從傳感器等設備上記錄可追溯數(shù)據(jù)，并可在日后通過RF讀取數(shù)據(jù)。

盡管在實際應用中有些問題還需要得到解決，我們還是希望客戶通過樣品對這一功能進行評估，從而發(fā)現(xiàn)新的可能性。在與客戶進行評估和探討的過程中，我們將改進LSI的規(guī)格的問題。此外，我們有許多MCU產品可以與RFID連接，希望客戶也能可以考慮采用這些產品。