中芯國際聯(lián)席 CEO 梁孟松透露， 中芯國際將在 2018 年下半年量產(chǎn) 28nm HKC+工藝，2019 年上半年開始試產(chǎn) 14nm FinFET 工藝，并藉此進(jìn)入 AI 芯片領(lǐng)域。

梁孟松表示，28nm 工藝在整個(gè) 2018 年將占據(jù)中芯國際出貨量的 5-10%，其中新的 28nm HKC 占比將基本接近 28nm Poly-SiON。

2017 年第四季度，中芯國際深圳 200 毫米晶圓廠的產(chǎn)能為 442750 塊晶圓，2018 年第一季度提升至 447750 塊，平均產(chǎn)能利用率也提高到 88.3%。

同時(shí)，來自電源管理 IC 的需求也越來越高，200 毫米晶圓廠正全力生產(chǎn)，高壓 BCD 工藝則轉(zhuǎn)向其 300 毫米晶圓廠。

2017 年，中芯國際收入 31.01 億美元，同比增長 6.4%，毛利率 23.9%，同比下降 5.3 個(gè)百分點(diǎn)，凈利潤 10.81 億美元，同比增長 10.6%。

其中，28nm 工藝貢獻(xiàn)的收入增長 4.4 倍創(chuàng)造新高，總體占比為 8.0%，

中芯國際聯(lián)系 CEO 趙海軍透露，2018 年第一季度中芯國際收入 8.31 億美元，毛利率 26.5%，研發(fā)投入 1.23 億美元，預(yù)計(jì)第二季度收入環(huán)比增長 7-9%，毛利率 23-25%。

趙海軍表示， 中芯國際 40%的收入都來自中國內(nèi)地。