嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存廠商力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構(gòu)之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)NeoFuse，此技術(shù)瞄準(zhǔn)先進(jìn)工藝平臺，具備硅智財(cái)組件尺寸小與保存能力佳等特點(diǎn)，可滿足客戶產(chǎn)品在先進(jìn)工藝產(chǎn)品之進(jìn)階需求。

目前NeoFuse技術(shù)已在多家國際級晶圓代工廠之65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等低功耗與高壓先進(jìn)工藝通過組件技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)將于今年Q3通過可靠性驗(yàn)證并在Q4進(jìn)入量產(chǎn)。延續(xù)在NeoBit技術(shù)開發(fā)的成功經(jīng)驗(yàn)，NeoFuse技術(shù)的推出意味著力旺電子已將其單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)的布局版圖從成熟工藝進(jìn)一步推展至先進(jìn)工藝。

NeoFuse為全新反熔絲(antifuse)架構(gòu)之單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，利用編程過程中的阻抗改變(impedance change)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)儲存功能，并藉由外圍電路的巧妙設(shè)計(jì)使NeoFuse IP具備低功耗、高可靠度與安全保密等特色。NeoFuse技術(shù)的特殊組件架構(gòu)有效地降低工藝變異的影響，使得各內(nèi)存位的一致性大幅提高。相較于代工廠所提供的傳統(tǒng)eFuse，NeoFuse技術(shù)提供更小的組件與硅智財(cái)線路尺寸，無需以大電流熔燒，且在數(shù)據(jù)寫入后不會留下熔燒的痕跡，此外及資料留存能力高，故特別適合面積小、高儲存容量之應(yīng)用，如(STB)、數(shù)字電視(DTV)與影像感測芯片(CIS ICs)等應(yīng)用領(lǐng)域。

力旺電子之NeoFuse技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)制程完全兼容，無需加額外光罩，不會受限于傳統(tǒng)eFuse不易轉(zhuǎn)廠的限制，可協(xié)助客戶大幅減少制造成本。秉持著與NeoBit IP相同的設(shè)計(jì)概念，在先進(jìn)制程上的NeoFuse IP不僅提供友善的操作界面，降低IP使用上的難度與電路復(fù)雜度，同時(shí)具備高度靈活的使用彈性，使客戶在系統(tǒng)上及產(chǎn)品應(yīng)用階段均能進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入的動作。無論是提供程序代碼儲存( storage)、加解密碼儲存(encryption )、身份識別()或是電路調(diào)校( trimming)等，NeoFuse所提供的多樣化，完全符合客戶在芯片上的多元化需求。而針對相同編程內(nèi)容且需大量出貨的產(chǎn)品應(yīng)用，力旺電子亦延續(xù)了建置在NeoBit平臺上的NeoROM方案，提供給客戶自NeoFuse轉(zhuǎn)成ROM的彈性空間。

力旺電子持續(xù)投入創(chuàng)新研發(fā)能量，積極布局嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)版圖，目前已有NeoBit、NeoFlash、NeoEE、NeoMTP與NeoFuse等涵蓋單次可程序與多次可程序之產(chǎn)品線，從成熟量產(chǎn)的工藝到先進(jìn)工藝均具備最適合的，將能為客戶提供更完整且全方位的硅智財(cái)導(dǎo)入服務(wù)。迄今力旺電子已擁有國內(nèi)外專利超過330件，內(nèi)嵌力旺電子硅智財(cái)之量產(chǎn)晶圓片數(shù)已超過550萬片，是全球最被廣泛使用之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)之領(lǐng)導(dǎo)廠商。