日前在美國(guó)加州舉行的SNUG Synopsys用戶研討會(huì)上，Synopsys公司總裁兼首席執(zhí)行官Aart de Geus指出：“促使芯片節(jié)點(diǎn)工藝向更高層次發(fā)展的動(dòng)力將不再是芯片性能的提高，而在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)上集成更多的功能才是刺激芯片工藝向65納米邁進(jìn)的原因。”

芯片處理速度的加快代表了芯片性能的提升——現(xiàn)在這已經(jīng)不是首要的問題了，De Geus指出，特別是在多內(nèi)核器件出現(xiàn)之后。這是與半導(dǎo)體業(yè)界以往發(fā)展史最為不同的地方——以往的歷史是，性能的提升會(huì)促使芯片工藝向更小的節(jié)點(diǎn)發(fā)展，以滿足摩爾定律。

De Geus表示，過去幾年內(nèi)，芯片制造商已經(jīng)得出了結(jié)論：靠半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的升級(jí)來(lái)提高系統(tǒng)的性能在經(jīng)濟(jì)上是不可行的。相反，他指出，芯片運(yùn)行速度的提高可以采用其他方法，比如使用多內(nèi)核技術(shù)。

De Geus指出，半導(dǎo)體工藝正在向65nm節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。在2005年第四季度到本季度，根據(jù)Synopsys公司的統(tǒng)計(jì)，65nm產(chǎn)品的流片數(shù)量已從18個(gè)增長(zhǎng)到52個(gè)，而采用65nm工藝設(shè)計(jì)的項(xiàng)目總數(shù)已從約120個(gè)增長(zhǎng)到約160個(gè)。

De Geus強(qiáng)調(diào)，在65nm的設(shè)計(jì)中關(guān)于功耗的設(shè)計(jì)是最重要的因素，而在90nm和65nm工藝中對(duì)功耗的關(guān)注將是“絕對(duì)必不可少的”。“我無(wú)法告訴你們我們對(duì)功耗的關(guān)注程度，”De Geus表示，“我只能說事實(shí)上我們的每片65nm芯片都是一個(gè)低功耗的方案。”

在與其中的一位芯片設(shè)計(jì)人員的談話中，De Geus否認(rèn)了因?yàn)楣庋谀こ杀景嘿F而導(dǎo)致IC設(shè)計(jì)新啟動(dòng)項(xiàng)目減少的說法。他舉例說，從1999到2002年間，新啟動(dòng)項(xiàng)目的數(shù)量已經(jīng)下降了很多，但從那時(shí)起到目前數(shù)量一直保持穩(wěn)定。

在這個(gè)SNUG活動(dòng)上，Synopsys公司也聲稱，他們是第一家支持Verilog語(yǔ)言并提供整套芯片設(shè)計(jì)方案和終端產(chǎn)品的EDA供應(yīng)商。