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[導讀]對于選購一臺手機而言,我們除了注重外觀、設計、屏幕大小之外,性能當然是必然著重考慮的因素,就像一般用戶買汽車,并不會選擇用30萬去買一個0.6排量的車子(非混/電動),

對于選購一臺手機而言,我們除了注重外觀、設計、屏幕大小之外,性能當然是必然著重考慮的因素,就像一般用戶買汽車,并不會選擇用30萬去買一個0.6排量的車子(非混/電動),所以硬件配置是根基,良好的體驗需要基于強大的硬件性能。而手機的綜合性能由處理器、RAM、ROM以及軟件上的驅(qū)動/系統(tǒng)優(yōu)化所決定,其中手機處理器則扮演著一個舉足輕重的角色。

一、半導體公司有哪幾種
半導體公司按業(yè)務可分為3個類別:
1.IDM,這一模式的特點是半導體制造的關鍵環(huán)節(jié)都由自己完成,例如內(nèi)核的開發(fā)與制造,自己同時具備設計以及生產(chǎn)的能力,例如Intel、意法半導體、現(xiàn)代等等。
2.Fab,這種模式只專注于工藝的研發(fā)以及代工,就像臺積電,它們不設計芯片,僅幫代工芯片。
3.Fabless,F(xiàn)abless企業(yè)僅專注于IC的設計,它們把設計出來的“芯片”給Fab企業(yè)進行生產(chǎn),形成產(chǎn)品,而隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,電子產(chǎn)品更貼近于個人的需求,這便從Fabless衍生出Chipless模式,Chipless模式下的企業(yè)既不生產(chǎn)芯片也不銷售芯片,它們只提供IP的授權,像是ARM和Imagination。
二、挖一下全球晶圓生產(chǎn)/代工商
如今全球范圍規(guī)模較大的晶圓代工廠商有:臺積電(TSMC)、三星、英特爾(Intel)、Globalfoundries(GF)、臺聯(lián)電(UMC)、中芯國際(SMIC)、意法半導體(ST)等等,但它們并不是全部都代工生產(chǎn)手機Soc芯片的,生產(chǎn)手機處理器Soc的基本集中在臺積電、三星、Intel、GF這四家。
2015年+2016年初熱門手機處理器生產(chǎn)/代工商:
臺積電:驍龍615/617/652/808/810、聯(lián)發(fā)科全系列、蘋果A9(16nm)、麒麟950/930、蘋果A10(10nm)
三星:驍龍820、Exynos 7420/8890、蘋果A9(14nm)
英特爾:Atom全系列
Globalfoundries:瑞芯微系列
三、一顆Soc如何誕生
指令集/IP核的授權+核心的設計
我們經(jīng)常接觸的高通驍龍XXX,聯(lián)發(fā)科MTXXXX,麒麟XXX之類的Soc,他們沒有自己的晶圓生產(chǎn)線,通過從ARM、Imagination中購入IP授權或是指令集授權(其中高通像驍龍820則是通過獲得ARM的指令集授權,再自行研發(fā)Kryo核心,而聯(lián)發(fā)科/麒麟則是直接獲取A72/A53一類的IP核授權),然后把這些Soc交給臺積電或三星進行代工生產(chǎn)。
而三星Exynos則比較特殊,例如最新的Exynos 8890既有自主研發(fā)的核心,也有ARM的公版核心,則它的授權費用主要來源于ARM的指令集+IP核,費用自然比全是公版核心的聯(lián)發(fā)科/麒麟要低,但Exynos也不像高通驍龍,三星有自己的晶圓生產(chǎn)線,無需找臺積電進行代工生產(chǎn)。既然內(nèi)核方案有了,代工商也找到了,那么就是時候進入具體的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
Soc的生產(chǎn)
一顆處理器(Soc)如何誕生這個過程相當復雜,難以用簡單的話語表述出來,但某幾個重要的步驟還是可以說一下的:
1.硅的提純與熔煉,制成硅錠→2.硅錠切割,形成晶圓(wafer),滲入其他元素并進行氧化→3.上光阻劑,通過掩膜(mask)進行光刻→4.清除溶解的光阻劑并用化學試劑溶解曝光部分的晶圓,再清除掩膜區(qū)域的光阻劑→5.重復步驟3,形成多層立體的晶體管雛形→6.注入離子束,完成摻雜,形成P井或N井→7.表面覆蓋絕緣層,留出需要通電的開孔,進行電鍍銅用以填充開孔(完成晶體管的制造)→8.在晶體管之間用復合金屬層進行連接,形成復雜的立體電路→9.功能性測試→10.晶圓切片,形成單個內(nèi)核→11.內(nèi)核封裝,為內(nèi)核提供電氣與機械界面→12.性能測試,并進行等級分類,定義ID→13.出售
當然,一顆Soc的誕生從設計到生產(chǎn)環(huán)節(jié)不會如上訴的那么簡單,筆者只是想讓大家簡單了解一下其中的重要步驟。
四、2016年初晶圓代工商的產(chǎn)能狀況
臺積電:28nm工藝已經(jīng)相當成熟早已量產(chǎn),而16nm FinFET、FinFET Plus也陸續(xù)完成產(chǎn)能的爬坡,16nm FinFET Compact(面向低功耗Soc)也將在本季度進入量產(chǎn),傳說中的Helio P20采用的就是這個制程工藝。而10nm方面,臺積電將在今年的第一季度完成流片,并在第四季度進入量產(chǎn)。(但最新消息指iPhone 7的A10處理器將會全面由臺積電的10nm工藝生產(chǎn)線生產(chǎn),相信在第二季度便邁進量產(chǎn)階段)而7nm預計在2018年的上半年量產(chǎn)、5nm工藝也已經(jīng)研發(fā)了一段時間,不知道英特爾那邊有什么想法呢。
三星:14nm早已量產(chǎn),而10nm方面則預計在2017年初量產(chǎn),而7nm制程則沒有任何消息傳出。
英特爾:Intel在上年11月時表示在14nm的工藝上遇到了一點困難,但現(xiàn)在已經(jīng)恢復,而10nm的處理器預計在2017年下半年推出。反正Intel自給自足,也不為其他廠商代工,所以我們就好好等待下一代Atom處理器就行了。
Globalfoundries:14nm FinFET量產(chǎn)相信仍要等到今年的6月份。10nm/7nm工藝方面,Globalfoundries表示將會和IBM合作,但暫時沒有量產(chǎn)的消息。但Globalfoundries精于制造高性能大核心,例如PC領域的AMD CPU以及GPU,所以手機Soc和Intel那樣,我們糾結不來。總的來說,在2016年14/16nm的量產(chǎn)不是問題,最近更有消息指定位中端的驍龍625也用上了14nm制程。
五、熱門Soc工藝簡析
28nm:三星方面有HKMG的LP(Low Power)、LPP(Low Power Plus)以及最強的LPH。而臺積電有Poly/SION的LP(Low Power)、HKMG的HPM(High Performance Mobile)、HKMG的HPC+(High Performance Compact Plus)。在手機Soc領域,以上6種性能最強的是三星LPH,接下來是臺積電的HPM。28nm不同工藝的定位分別為:高性能:LPH、HPM,主流:LP、HPC、HPC+。
28nm LP制程工藝的MT6753
20nm:在這個制程節(jié)點上僅有臺積電正在使用(三星也有,只是用在DDR3內(nèi)存制造上),而且工藝單一。在今年的Soc列表當中定位高性能的早已使用上16/14nm FinFET工藝,而兼顧性能與功耗的主流Soc依然采用良品率高,性能穩(wěn)定的28nm HPM/HPC工藝(關鍵是A72核心使用28nm HPM也能較好地壓住功耗),所以20nm制程相信不會在2016年出現(xiàn)在手機Soc領域。
20nm HPM的MT6795
16/14nm:三星/臺積電的FinFET(FF)、臺積電的FinFET compact(FFC)以及FinFET Plus(FF+),其中FinFET包含早期的LPE(Low Power Early)以及LPP(Low Power Plus,高級低功耗)兩種工藝版本。16/14nm不同工藝的定位分別為:高性能:FF、FF+,主流(著重功耗表現(xiàn)的設備):FFC。
14nm FinFET LPE的Exynos 7420
總結
2016年相信會是28nm+14/16nm共存的一年,28nm依然成為主流處理器的制程節(jié)點,而旗艦處理器則會普片采用16/14nm制程,10nm制程節(jié)點的處理器預計最快要到2017年初才會亮相。另外,由于智能穿戴設備等微型便攜終端的普及,不少處理器廠商已經(jīng)推出專門針對這類設備的Soc,它們都會使用制程更新,主打低功耗的工藝,例如16nm FinFET Compact。
一顆好的手機處理器,并不只決定于核心架構、核心數(shù)量、主頻高低、集成GPU的強弱,其發(fā)熱,功耗也是我們值得考慮的問題,畢竟沒人希望自己的手機是暖寶寶或者玩半天就沒電的玩意,而制程工藝也決定著核心主頻的高低,從而影響性能。但在相同制程節(jié)點,相同工藝的條件下,不同處理器生廠商生產(chǎn)出來的Soc也有一定的差異,因為原料的污染,加工工藝的波動,成本/淘汰率的控制都會讓同制程節(jié)點/同工藝的最終產(chǎn)品在性能上有著較大的差異0次

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