zetex推出三款為有限驅動電壓應用設計的n 溝道增強模式 mosfet。 　　這三款新產品分別為 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封裝）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（兩者均為sot23封裝）。這些器件均具有1.8vgs條件下的低損耗開關功能，可以使用兩個1.2v 電池或一個鋰離子電池驅動。其超低柵極驅動意味著可以直接通過邏輯門來驅動。

　　三款新 mosfet可確保1.8vgs 條件下的導通電阻 (rds(on) ) 分別低于75毫歐（m?）、100毫歐（m?）和200毫歐（m?），使之在低壓應用中大顯身手，例如高端分段開關的電平轉換、升壓型轉換器電路的外置開關，以及低壓微控制器和電機、電磁鐵等負載的緩沖等。 快速開關性能是zetex專有umos技術的另一個主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情況下，上升和下降時間僅為3.6ns和10.5ns。