臺(tái)積電在近日舉行的臺(tái)積電2011技術(shù)研討會(huì)上推出了業(yè)界首個(gè)專(zhuān)為智能手機(jī)、平板電腦芯片優(yōu)化的制程工藝。

臺(tái)積電研發(fā)部高級(jí)副總裁蔣尚義（Shang-Yi Chiang）表示，新制程技術(shù)隸屬于28納米工藝，名為28HPM（高性能移動(dòng)制程工藝），專(zhuān)為智能機(jī)、平板電腦及其相關(guān)產(chǎn)品的芯片設(shè)計(jì)。

臺(tái)積電新制程工藝可能是為蘋(píng)果產(chǎn)品而設(shè)計(jì)，此前有傳聞稱(chēng)臺(tái)積電將為蘋(píng)果代工下一代A5處理器芯片。除蘋(píng)果外，臺(tái)積電還可能將新工藝用于智能機(jī)和平板電腦領(lǐng)域的廠(chǎng)商產(chǎn)品，比如英偉達(dá)、高通。當(dāng)被問(wèn)及28HPM工藝是否專(zhuān)為單一客戶(hù)而設(shè)計(jì)時(shí)，蔣尚義表示新工藝適用于基于ARM架構(gòu)的處理器芯片。

臺(tái)積電目前擁有3種28納米制程工藝：第一種是基于硅氧化物柵層疊（gate-stack）技術(shù)的低功耗CLN28LP工藝；另外兩種則是基于第一代HKMG（high-k絕緣層+金屬柵極）工藝技術(shù)，一個(gè)是低功耗CLN28HPL工藝，另外一種是高性能CLN28HP工藝。

蔣尚義稱(chēng)，臺(tái)積電的HKMG技術(shù)已經(jīng)通過(guò)了完全可能性認(rèn)證，并正向兩家客戶(hù)出貨晶圓原型品。他還否認(rèn)了業(yè)界關(guān)于臺(tái)積電28納米技術(shù)延期的報(bào)道，蔣尚義說(shuō)：“我們沒(méi)有耽誤任一客戶(hù)。”

在進(jìn)入20納米工藝之前，臺(tái)積電還將推出另外一種28納米工藝CLN28HPM。新工藝同樣基于第一代HKMG技術(shù)，它可使得應(yīng)用處理器和相關(guān)產(chǎn)品的主頻遠(yuǎn)高于1.8GHz（功耗440毫瓦）。

和其它28納米工藝一樣，CLN28HPM核心電壓在0.9伏，可支持1.8伏、2.5伏的I/O電壓，將于今年四季度量產(chǎn)。臺(tái)積電還再次提到了此前宣布的幾種20納米制程，這包括CLN20G（20納米通用制程）和CLN20SOC，它們均基于臺(tái)積電HKMG制程，其中CLN20G定于 2012年第四季度試產(chǎn)，而CLN20SOC則定于2013年第二季度試產(chǎn)。