在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠，近期也相繼導(dǎo)入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動(dòng)，業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DDR 4 DRAM因功耗低，運(yùn)算速度更快，且支援矽鉆孔(TSV)3D IC設(shè)計(jì)，預(yù)料明年可望成為伺服器新寵。

DRAM業(yè)者表示，和DD3 DRAM比較，DDR4未來功耗將遠(yuǎn)低于1.2伏特，比現(xiàn)在的DDR 3 1.5伏特更低，而資料轉(zhuǎn)換率每秒更達(dá)3.2Gb，同時(shí)具備16個(gè)族群，遠(yuǎn)比DDR3的資料轉(zhuǎn)換率每秒2.13Gb、8個(gè)族群，資料處理速度更快且頻寬更寬。

不過，主導(dǎo)半導(dǎo)體技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC，此次對(duì)未針對(duì)DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板設(shè)計(jì)，導(dǎo)致記憶體模組廠只能依照過去累積的設(shè)計(jì)能力，投入開發(fā)DDR 4 記憶體模組。

日前率先在英特爾開發(fā)者論壇，領(lǐng)先業(yè)界針對(duì)企業(yè)用戶、伺服器平臺(tái)，展示新世代DDR4記憶體模組的威剛，表示看好DDR4 DRAM未來應(yīng)用。

威剛表示，未來仍會(huì)依循英特爾主導(dǎo)的規(guī)格進(jìn)行相關(guān)DDR4設(shè)計(jì)，在JEDEC未制定公板下，將采客制化，依企業(yè)用戶需求，提供這項(xiàng)更高性能的記憶體儲(chǔ)存方案。

威剛表示，由于DDR 4尚未處于量產(chǎn)階段，初期價(jià)格預(yù)料也會(huì)非常昂貴，但因這項(xiàng)新記憶體導(dǎo)入更新的防錯(cuò)設(shè)計(jì)，也支援TSV 3D IC架構(gòu)，是未來3D IC必備的新世代記憶體，初期將會(huì)切入伺服器等應(yīng)用領(lǐng)域。

據(jù)了解，包括三星、美光及SK海力士均已投入試產(chǎn)階段;國(guó)內(nèi)DRAM大廠華亞科和南科，也預(yù)定第4季開始試產(chǎn)。