市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Coughlin Associates 的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torque transition，STT)等形式──將在未來(lái)因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。

Coughlin Associates 的報(bào)告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STT MRAM市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)?？赏? 2013年的1.9億美元左右，到2019年成長(zhǎng)至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長(zhǎng)率(CAGR)估計(jì)為50%。

因?yàn)镸RAM能以CMOS邏輯制程生產(chǎn)，使其適合做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體使用;該種記憶體需要額外的磁性材料層以及專門的生產(chǎn)設(shè)備，與生產(chǎn)硬碟機(jī)內(nèi)磁性讀寫頭(magnetic read sensors)的設(shè)備類似。Coughlin Associates估計(jì)，市場(chǎng)對(duì)獨(dú)立MRAM元件與嵌入式MRAM的需求，將驅(qū)動(dòng)MRAM制造設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng);該市場(chǎng)規(guī)模將由2013年的5,290萬(wàn)美元，在2019年成長(zhǎng)至2.463億美元。

除了MRAM，Coughlin Associates 的報(bào)告還討論了相變化記憶體、電阻式記憶體(ReRAM)、鐵電記憶體(FeRAM)以及碳奈米管等技術(shù);該報(bào)告指出，ReRAM也有取代快閃記憶體的潛力，但恐怕還要再過十年才可能發(fā)生，至于MRAM取代SRAM與DRAM的情況在接下來(lái)幾年就會(huì)看到，可能早于ReRAM取代快閃記憶體的時(shí)程。