美光科技有限公司今天宣布，美光的32Gb、34納米NAND閃存和1Gb、50納米DRAM創(chuàng)新技術(shù)獲得Semiconductor Insights公司(簡稱SI公司)認(rèn)可，進入SI第八屆Insight 年度大獎的最終評選。

美光的32Gb、34納米NAND芯片由英特爾和美光合作開發(fā)，并由雙方組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies公司制造。這款晶片進入“最具創(chuàng)新性工藝技術(shù)”和“最具創(chuàng)新性非揮發(fā)性存儲器”兩類獎項的最終評選。SI公司表示，這款 32Gb、34納米芯片是業(yè)界迄今為止密度最高的單片多層單元(MLC)NAND閃存芯片。有了這塊高密度的小巧芯片，客戶能夠很方便地擴大一系列消費和計算產(chǎn)品的NAND存儲容量。

美光的1Gb、50納米DDR2芯片由美光公司與南亞科技股份有限公司通過DRAM聯(lián)合開發(fā)項目共同開發(fā)，這款晶片進入“最具創(chuàng)新性DRAM”獎項的最終評選。這款1Gb、50納米DDR2芯片面積僅有41mm²，可為客戶提供目前市場上最小的DRAM晶片尺寸。分析了這款產(chǎn)品之后，SI公司表示，該產(chǎn)品所采用的DRAM工藝技術(shù)是他們迄今分析過的同類最先進技術(shù)。

美光公司內(nèi)存事業(yè)部副總裁Brian Shirley說，“能獲得Semiconductor Insights公司的認(rèn)可，進入他們的Insight大獎的最終評選，我們感到很榮幸。美光公司用頂尖的NAND和DRAM設(shè)計不斷突破技術(shù)的極限，我們將與研發(fā)合作伙伴共同努力，不斷創(chuàng)新，為客戶提供市場上最先進的存儲器解決方案。”

Insight大獎表彰那些依靠技術(shù)成就和創(chuàng)新在上年度對半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生影響的公司。Insight大獎包含四個不同類別的獎項，由業(yè)界一流專家組成小組負責(zé)評選，成員包括：TechInsights Services公司首席技術(shù)官Edward Keyes、Portelligent公司總裁David Carey、TechOnline編輯主任Patrick Mannion以及Semiconductor Insights公司的資深分析師。評審專家將從每一類獎項的獲提名候選者中評選出獲勝者。

Semiconductor Insights公司副總裁兼總經(jīng)理Emil Alexov說，“今年Insight大獎的最后一輪候選產(chǎn)品達到了我們行業(yè)關(guān)鍵的創(chuàng)新里程碑，這顯示了對技術(shù)突破不斷施以壓力的重要性，這樣做可以更好地推進行業(yè)的發(fā)展，同時為他人定下新的努力方向和標(biāo)準(zhǔn)。”

Insight大獎表彰企業(yè)通過創(chuàng)新設(shè)計和技術(shù)發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)取得的巨大技術(shù)進步，他們改變了我們生活的世界。2009年3月31日，在EE Times ACE獎和Insight獎頒獎禮上將向這些企業(yè)和他們的創(chuàng)新技術(shù)頒獎。此次頒獎禮是TechInsight在硅谷舉行的嵌入式系統(tǒng)大會(Embedded Systems Conference)的活動之一，大會堪稱北美最大規(guī)模的電子系統(tǒng)設(shè)計盛事。