美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時(shí)DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù)，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動(dòng)應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展，對(duì)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)密度和速度，同時(shí)最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

美光的DRAM營(yíng)銷副總裁Robert Feurle說：“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費(fèi)的不斷增長(zhǎng)，人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡(luò)流量增長(zhǎng)的技術(shù)，美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求”。

對(duì)于現(xiàn)有的RLDRAM 2，美光將繼續(xù)提供最高水平的技術(shù)支持，并計(jì)劃長(zhǎng)期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外，美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進(jìn)的50nm工藝，提高系統(tǒng)性能，降低功耗。

RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點(diǎn)

美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有：

 低延時(shí)：tRC不足10納秒，是業(yè)界最低的隨機(jī)存取延時(shí)

 高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設(shè)計(jì)

 高速率：達(dá)2133Mb/s，數(shù)據(jù)存取速度更快

 高能效：1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓，更省電

構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡(luò)

美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，使其RLDRAM存儲(chǔ)解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能。作為這個(gè)價(jià)值生態(tài)系統(tǒng)的一部分，美光目前合作的領(lǐng)先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。

Altera組件產(chǎn)品營(yíng)銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路，針對(duì)美光內(nèi)存設(shè)有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達(dá)1600 Mbps，為行業(yè)內(nèi)最高速度，大幅降低了延時(shí)。美光新的存儲(chǔ)產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項(xiàng)重要技術(shù)成果，是我們與美光多年技術(shù)合作的一項(xiàng)巔峰之作。”

Xilinx應(yīng)用和技術(shù)營(yíng)銷資深總監(jiān)Rina Raman說：“Xilinx 7系列FPGA應(yīng)用于最高級(jí)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，用于滿足全世界對(duì)帶寬無(wú)止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術(shù)，讓我們的客戶能夠開發(fā)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)，來(lái)滿足最嚴(yán)格的基礎(chǔ)設(shè)施需求。”

產(chǎn)品可用性

美光預(yù)計(jì)將在2011年上半年開始對(duì)其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對(duì)RLDRAM 3內(nèi)存設(shè)計(jì)的意見。此外，美光預(yù)計(jì)將在2010年第四季度開始對(duì)其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。