日經(jīng)新聞報(bào)道，夏普正與爾必達(dá)聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預(yù)計(jì)在2013年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

早在2007年，富士通就宣布開發(fā)出了這種可變電阻式閃存芯片，它在降低功耗的同時(shí)寫入速度達(dá)到目前手機(jī)所用NAND閃存芯片的10000倍。

日經(jīng)新聞稱，采用ReRAM芯片的設(shè)備可以在幾秒鐘的時(shí)間內(nèi)下載一部高清電影，待機(jī)模式下功耗幾乎為零。

除了夏普和爾必達(dá)外，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、東京大學(xué)以及其它芯片設(shè)備制造商也將加入到研發(fā)工作當(dāng)中。該芯片最早將在2013年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，爾必達(dá)將可能負(fù)責(zé)這一生產(chǎn)工作。

此外其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同樣也在積極研發(fā)新型存儲(chǔ)芯片，東芝就在開發(fā)一種層式結(jié)構(gòu)(layered structure)閃存芯片;三星除了研發(fā)ReRAM外，相變式存儲(chǔ)芯片和磁性存儲(chǔ)芯片的開發(fā)工作也在進(jìn)行中。