DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為 4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的DS1250W器件可以用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。PowerCap模塊封裝的DS1250W器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

關鍵特性

在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年

掉電期間數據被自動保護

替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM或閃存

沒有寫次數限制

低功耗CMOS操作

100ns的讀寫存取時間

第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND

JEDEC標準的32引腳DIP封裝

PowerCap模塊(PCM)封裝

表面貼裝模塊

可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

所有非易失SRAM器件提供標準引腳

分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸