當(dāng)前的磁帶機(jī)(庫(kù))支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲(chǔ)容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機(jī)所能存儲(chǔ)的最大數(shù)據(jù)量。這個(gè)數(shù)值取決于兩個(gè)因素，一是單盒磁帶的存儲(chǔ)容量，二是磁帶機(jī)所能容納的磁帶數(shù)目。

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商RamtrON International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍。此外，W系列具有更高的性能，如有功電流(active current)需求降低了25%至50%，串口器件的首次存取啟動(dòng)(上電初始化)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串口I2C與和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個(gè)并行通信接口。

Ramtron公司標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)推廣經(jīng)理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM存儲(chǔ)器具有寬工作電壓范圍，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員降低有功電流，提高系統(tǒng)性能。系統(tǒng)能夠檢測(cè)早期功耗，控制器的數(shù)據(jù)寫入電壓可降至2.7V，從而保護(hù)重要數(shù)據(jù)免受毀壞或丟失。W系列的寬工作電壓范圍帶來(lái)更高的靈活性，能夠最大限度地減少客戶所需的庫(kù)存元件數(shù)量。”

Ramtron發(fā)布W系列F-RAM存儲(chǔ)器

RamtrON (Ramtron InternaTIonal Corporation)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍。

W系列 F-RAM存儲(chǔ)器為先前使用64K至256K F-RAM器件的客戶提供了一種設(shè)計(jì)替代方案，該系列產(chǎn)品基于先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝，具有無(wú)延遲 (NoDelay)寫入、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù) (100萬(wàn)億次-10e14)以及38年數(shù)據(jù)保存期等特性。這些新推器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)“綠色”封裝，其中串口器件采用8腳SOIC封裝，并口器件采用28引腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)或?qū)崿F(xiàn)低功耗工作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，應(yīng)用范圍從高頻數(shù)據(jù)采集直到要求嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。而在這些應(yīng)用中， EEPROM的寫入周期很長(zhǎng)，可能造成數(shù)據(jù)丟失，因而并不適用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-RAM技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)全速總線寫入，確保在-40°C 至 +85°C的工業(yè)溫度范圍正常工作。

此外，W系列具有更高的性能，如有功電流(active current)需求降低了25%至50%，串口器件的首次存取啟動(dòng)(上電初始化)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串口I2C與和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個(gè)并行通信接口。

Ramtron公司標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)推廣經(jīng)理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM存儲(chǔ)器具有寬工作電壓范圍，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員降低有功電流，提高系統(tǒng)性能。系統(tǒng)能夠檢測(cè)早期功耗，控制器的數(shù)據(jù)寫入電壓可降至2.7V，從而保護(hù)重要數(shù)據(jù)免受毀壞或丟失。W系列的寬工作電壓范圍帶來(lái)更高的靈活性，能夠最大限度地減少客戶所需的庫(kù)存元件數(shù)量。”

W系列 F-RAM存儲(chǔ)器為先前使用64K至256K F-RAM器件的客戶提供了一種設(shè)計(jì)替代方案，該系列產(chǎn)品基于先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝，具有無(wú)延遲 (NoDelay)寫入、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù) (100萬(wàn)億次-10e14)以及38年數(shù)據(jù)保存期等特性。這些新推器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)“綠色”封裝，其中串口器件采用8腳SOIC封裝，并口器件采用28引腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)或?qū)崿F(xiàn)低功耗工作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，應(yīng)用范圍從高頻數(shù)據(jù)采集直到要求嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。而在這些應(yīng)用中， EEPROM的寫入周期很長(zhǎng)，可能造成數(shù)據(jù)丟失，因而并不適用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-RAM技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)全速總線寫入，確保在-40°C 至 +85°C的工業(yè)溫度范圍正常工作。