當前的磁帶機(庫)支持的備份技術主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數據未被壓縮前磁帶機所能存儲的最大數據量。這個數值取決于兩個因素，一是單盒磁帶的存儲容量，二是磁帶機所能容納的磁帶數目。

世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商RamtrON International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍。此外，W系列具有更高的性能，如有功電流(active current)需求降低了25%至50%，串口器件的首次存取啟動(上電初始化)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串口I2C與和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個并行通信接口。

Ramtron公司標準存儲器市場推廣經理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM存儲器具有寬工作電壓范圍，可幫助系統設計人員降低有功電流，提高系統性能。系統能夠檢測早期功耗，控制器的數據寫入電壓可降至2.7V，從而保護重要數據免受毀壞或丟失。W系列的寬工作電壓范圍帶來更高的靈活性，能夠最大限度地減少客戶所需的庫存元件數量。”

Ramtron發(fā)布W系列F-RAM存儲器

RamtrON (Ramtron InternaTIonal Corporation)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍。

W系列 F-RAM存儲器為先前使用64K至256K F-RAM器件的客戶提供了一種設計替代方案，該系列產品基于先進的高可靠性鐵電工藝，具有無延遲 (NoDelay)寫入、幾乎無限的讀/寫次數 (100萬億次-10e14)以及38年數據保存期等特性。這些新推器件采用業(yè)界標準“綠色”封裝，其中串口器件采用8腳SOIC封裝，并口器件采用28引腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫入數據或實現低功耗工作的非易失性存儲器應用，應用范圍從高頻數據采集直到要求嚴苛的工業(yè)控制應用。而在這些應用中， EEPROM的寫入周期很長，可能造成數據丟失，因而并不適用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-RAM技術，能夠實現全速總線寫入，確保在-40°C 至 +85°C的工業(yè)溫度范圍正常工作。

此外，W系列具有更高的性能，如有功電流(active current)需求降低了25%至50%，串口器件的首次存取啟動(上電初始化)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串口I2C與和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個并行通信接口。

Ramtron公司標準存儲器市場推廣經理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM存儲器具有寬工作電壓范圍，可幫助系統設計人員降低有功電流，提高系統性能。系統能夠檢測早期功耗，控制器的數據寫入電壓可降至2.7V，從而保護重要數據免受毀壞或丟失。W系列的寬工作電壓范圍帶來更高的靈活性，能夠最大限度地減少客戶所需的庫存元件數量。”

W系列 F-RAM存儲器為先前使用64K至256K F-RAM器件的客戶提供了一種設計替代方案，該系列產品基于先進的高可靠性鐵電工藝，具有無延遲 (NoDelay)寫入、幾乎無限的讀/寫次數 (100萬億次-10e14)以及38年數據保存期等特性。這些新推器件采用業(yè)界標準“綠色”封裝，其中串口器件采用8腳SOIC封裝，并口器件采用28引腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫入數據或實現低功耗工作的非易失性存儲器應用，應用范圍從高頻數據采集直到要求嚴苛的工業(yè)控制應用。而在這些應用中， EEPROM的寫入周期很長，可能造成數據丟失，因而并不適用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-RAM技術，能夠實現全速總線寫入，確保在-40°C 至 +85°C的工業(yè)溫度范圍正常工作。