東芝生產(chǎn)XDR內(nèi)存芯片樣品首批為512MB產(chǎn)品

時間：2004-12-19 06:55:00

關(guān)鍵字：東芝內(nèi)存芯片內(nèi)存 PID

手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導(dǎo)讀]東芝生產(chǎn)XDR內(nèi)存芯片樣品首批為512MB產(chǎn)品

【eNews消息】當(dāng)?shù)貢r間本周四，東芝公司宣布已經(jīng)開始生產(chǎn)基于Rambus公司的新一代名為XDR的內(nèi)存技術(shù)的存儲芯片樣品。

　　XDR技術(shù)開發(fā)時的代號為“黃石公園”，它面向數(shù)字家電、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、游戲機、圖形應(yīng)用等高性能應(yīng)用，速率為3.2GHz，比目前使用的內(nèi)存技術(shù)要高出一大截。

　　東芝公司生產(chǎn)的第一批芯片樣品是容量為512M位的DRAM芯片，比原計劃略有提前。當(dāng)Rambus公司于7月份公布XDR時，它預(yù)計東芝公司將在2004年發(fā)布芯片樣品。

　　東芝公司的發(fā)言人Makoto Yasuda表示，盡管提前發(fā)布了XDR芯片樣品，但在2005年大規(guī)模生產(chǎn)的計劃沒有改變。

　　另外，日本的Elpida內(nèi)存公司也計劃在2004年開始生產(chǎn)XDR芯片樣品。

東芝生產(chǎn)XDR內(nèi)存芯片樣品 首批為512MB產(chǎn)品