據(jù)法新社報(bào)道，該小組已表示成功制造出了所謂的“Mott Insulator”(莫特絕緣體)  ，小組由電子與通信研究院(ETRI)的Kim Hyun-Tak牽頭。新材料是以獲得1977年諾貝爾物理獎(jiǎng)的英國科學(xué)家Nevill Mott的名字命名的，盡管Mott insulators也屬于金屬，但它不能導(dǎo)電。然而，在高電壓狀態(tài)下，Mott insulators在相對(duì)較低的67攝氏度(華氏152.6度)下具有導(dǎo)電性能。 

　　ETRI院長Lim Joo-Hwan表示，“硅物質(zhì)導(dǎo)電發(fā)熱的物理性質(zhì)使得芯片上無法建立超薄集成電路，然而Mott metals卻不會(huì)發(fā)熱?！?nbsp;

　　Kim Hyun-Tak表示，“20世紀(jì)在電子界風(fēng)靡一時(shí)的半導(dǎo)體最終將給Mott insulators讓路”。 

　　他表示，Mott insulators材料可開創(chuàng)一下每年達(dá)1000億美元銷售額的全球市場(chǎng)，包括顯示器與大量新設(shè)備都可放棄硅半導(dǎo)體而選擇Mott insulators。 

　　他表示，使用Mott金屬絕緣體之后，芯片的工藝可能達(dá)到5納米制程，而目前的半導(dǎo)體芯片的制程理論可達(dá)到40納米，但當(dāng)前市場(chǎng)上最領(lǐng)先的產(chǎn)品也使用90納米制造工藝。三星電子公司去年展示了全球最為先進(jìn)的閃存芯片技術(shù)，該芯片采用的是60納米工藝。

　　專家們提示，60納米很可能代表了硅元素半導(dǎo)體芯片的工藝極限。