皇家飛利浦電子公司（Philips）今天宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術現(xiàn)已完全符合Grade-1汽車電子應用的需求，而其先進的0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進行量產(chǎn)，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產(chǎn)要求的工廠。這兩項最新的發(fā)展是飛利浦產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃中的重要里程碑，表明公司獨特的低功耗閃存/EEPROM技術已擴展到90納米CMOS甚至更先進的水平。

嵌入式閃存和EEPROM存儲器已成為當今許多片上系統(tǒng)解決方案的一個重要組成部分。它不但提供了在生產(chǎn)線上用不同的軟件對這些芯片進行編程或進行現(xiàn)場軟件升級的能力，還實現(xiàn)了對重要的本地數(shù)據(jù)例如PIN密碼或地址簿信息的存儲，并且可以在設備斷電的時候保留這些數(shù)據(jù)。典型的應用包括手機、電視機、MP3播放器和智能卡、以及電線驅(qū)動的汽車電子系統(tǒng)。

技術細節(jié)

不同于絕大多數(shù)競爭對手的非易失性存儲器技術采用溝道熱電子（CHE）注入進行存儲器單元編程以及富雷一諾特海姆式進行隧穿及擦除，飛利浦的閃存/EEPROM技術在編程和擦除方面都采用了富雷一諾特海姆式隧穿。其存儲器單元低功耗的結果是飛利浦0.18微米閃存能夠完全符合Grade-1（125℃環(huán)境溫度）要求的原因之一。這使得這一工藝適用于實現(xiàn)飛利浦正在為汽車電子應用（例如支持FlexRay的電線驅(qū)動的系統(tǒng)）開發(fā)的強大的基于ARM的微控制器。低功耗也是EEPROM技術高度適用于智能卡的原因，尤其是那些非接觸智能卡，它們需要從RF域獲取操作能源來進行卡到讀卡器以及讀卡器到卡的通信。在這些應用中，超低功耗是一個非常重要的設計要求。

飛利浦的0.14微米閃存/EEPROM現(xiàn)已在飛利浦設于奈梅亨的晶圓廠開始量產(chǎn)并用于包括飛利浦UOCIII超級單片（Ultimate One Chip）電視在內(nèi)的應用中，它為設計者開發(fā)了一個設計環(huán)境使得他們能夠?qū)⒖蓴U展和不可擴展的IP集成到同一個芯片上。這一結果解決了不同IP塊（例如：閃存/EEPROM、模擬、SRAM和I/O塊）可擴展性不同的問題。由此，設計者有了一個轉向同0.13微米CMOS相比更具成本優(yōu)勢的工藝，不需要承擔完全重新設計的風險，并且沒有額外的銅線互連、193納米平板刻法和300納米晶圓處理的工藝復雜問題。還有一個優(yōu)勢是標稱供應電壓維持在1.8伏。它不必像在標準0.13微米技術中那樣降到1.2伏特。因此，產(chǎn)品系列可以很容易得到擴充，而不必在產(chǎn)品規(guī)范中對供應電壓進行變動。

對于那些希望從可再編程代碼轉向固定代碼的客戶，飛利浦提供了一個“閃存到ROM”的轉換服務。這一服務也正處于實現(xiàn)符合0.14微米工藝汽車電子應用要求的過程中。飛利浦還開發(fā)了一個16K字節(jié)的EEPROM塊，用于它的IP黃頁（IP Yellow Page）和Nx-Builder片上系統(tǒng)設計流程。這一存儲器塊能夠同閃存一起使用，從而增加字節(jié)寫功能。