ARM公司和臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）簽署協(xié)議把公司的長期合作關(guān)系擴展至開發(fā)一套全新的ARM® Advantage™產(chǎn)品，該產(chǎn)品是Artisan物理IP系列產(chǎn)品的一部分，用來支持TSMC的65納米和45納米工藝。通過該協(xié)議，用戶可以從ARM Access Library Program獲得針對TSMC先進(jìn)技術(shù)的ARM Advantage產(chǎn)品。 

ARM物理IP營銷副總裁Neal Carney表示：“通過這個協(xié)議，ARM和TSMC已經(jīng)為未來全球設(shè)計團隊獲得高精技術(shù)奠定了基礎(chǔ)；兩家公司將共同致力于為用戶提供從設(shè)計到生產(chǎn)的無縫流程。ARM Advantage IP綜合套件和TSMC最先進(jìn)的制造技術(shù)的組合提供了能夠滿足SoC設(shè)計師對于性能和功耗管理要求的業(yè)界領(lǐng)先的解決方案?！?

TSMC設(shè)計服務(wù)營銷高級總監(jiān)Ed Wan表示：“TSMC的客戶已經(jīng)享受到TSMC先進(jìn)的65納米技術(shù)所帶來的好處。隨著越來越多的設(shè)計師開始采用這個技術(shù)，對于高度集成同時使用簡便的IP的要求就變得越來越重要。通過ARM Access Library Program，設(shè)計師可以實現(xiàn)高價值、低風(fēng)險和大大簡化的使用途徑?！?

ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表現(xiàn)，滿足消費電子、通訊和網(wǎng)絡(luò)市場眾多應(yīng)用的需求。Advantage標(biāo)準(zhǔn)單元包括功耗管理工具包，實現(xiàn)動態(tài)和漏泄功耗節(jié)省技術(shù)，例如時鐘門控、多電壓分離和電能門控等。它還提供五個Advantage存儲編譯器，提供相似的高級功耗節(jié)省特性。該產(chǎn)品套件在擴展了的電壓范圍內(nèi)對時鐘和功耗作了特殊設(shè)置，使得設(shè)計師可以完成多電壓設(shè)計的精確模擬。此外，ARM還將發(fā)布TSMC Nexsys I/O產(chǎn)品，從而提供完整的物理IP。

Advantage IP包含了ARM廣泛的views和模型集，提供了與眾多業(yè)界領(lǐng)先的EDA工具的整合。這些views在廣泛的運行條件下可以為Advantage產(chǎn)品提供功能、時鐘和功耗信息，使得設(shè)計師可以在SoC中實現(xiàn)能夠積極控制動態(tài)和漏泄功耗的復(fù)雜功耗管理系統(tǒng)。

TSMC 65納米技術(shù)的成功是建立在其業(yè)界領(lǐng)先的0.13微米和90納米技術(shù)的基礎(chǔ)上。TSMC預(yù)計2006年65納米產(chǎn)品將會有一個爆發(fā)式的增長。公司每2個月會啟動65納米的原型驗證試驗線，幫助客戶和EDA、IP和庫供應(yīng)商就他們的尖端設(shè)計進(jìn)行原型試驗和驗證。

TSMC 65納米NexsysSM技術(shù)是其同時采用了銅互連和low-k絕緣技術(shù)的第三代半導(dǎo)體工藝。它是一個9層金屬工藝，核電壓1.0或1.2伏，I/O電壓1.8，2.5或3.3伏。與TSMC現(xiàn)有的90nm Nexsys工藝相比，這項新工藝技術(shù)可以將使標(biāo)準(zhǔn)單元門的密度翻倍。它同時還有很具競爭力的六晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(6T SRAM)和單晶體嵌入式靜態(tài)隨機存取記憶體（1T embedded DRAM）這兩種存儲單元尺寸。此外，該技術(shù)還包括支持模擬和無線設(shè)計的混合信號和無線電頻率功能，支持邏輯和存儲整合的嵌入式高密度存儲，以及支持客戶加密需求的電子保險絲選項功能。