芯片廠商計(jì)劃到2007年晚些時候開始生產(chǎn)0.045微米工藝的芯片，他們接著將在兩年后將生產(chǎn)工藝推進(jìn)到0.032 

　　微米。生產(chǎn)出來的這種芯片速度將更快、能耗量會更低、集成的晶體管更多、而且制造成本會也更低些。

　　盡管采用0.045微米工藝的手機(jī)芯片在性能提高30%的情況下，能耗量反而會降40%，而且消費(fèi)者不需要擔(dān)心電池使用時間，可以在手機(jī)上玩游戲或看電視節(jié)目。然而，生產(chǎn)這種芯片將會是困難重重，而且廠商們不得不修改它們目前使用的基本材料和工藝。若有失誤就會意味著將落后于其競爭對手們幾個季度的時間。據(jù)德州儀器生產(chǎn)工藝部門的主管彼特表示，在向0.045微米工藝的過渡中會存在幾種使過渡比較艱難的因素，但對我們來說，這不是第一次首次遇到這樣的困難。

　　各大芯片廠商以及大學(xué)的研究人員將于本周出席IEEE贊助的2006 Symposium on VLSI Circuits。英特爾公司將在這次會議期間闡述由它開發(fā)的三柵極晶體管。據(jù)英特爾公司組件研究部門的主管邁克表示，在能耗量相同的情況下，三柵極晶體管的性能將提高35%。雖然這樣的原型產(chǎn)品已經(jīng)被開發(fā)出來，但三柵極晶體管不會被應(yīng)用在英特爾公司的0.045微米工藝中。他表示，我們認(rèn)為0.032微米和0.022微米工藝用上三柵極晶體管還是很有機(jī)會的。但他對英特爾公司是否將會在0.045微米工藝中用金屬取代多晶硅方面拒絕發(fā)表評論。

　　同時，德州儀器公司將展示一個僅僅占用0.24 平方微米的0.045微米工藝的SRAM內(nèi)存單元，到目前為止，它的這一尺寸與其它廠商的類似產(chǎn)品相比較小大約30%。它能夠減小SRAM單元尺寸的原因就在于它采用了浸沒光刻技術(shù)。另外，德州儀器公司還對其生產(chǎn)工藝中的許多別的方面進(jìn)行了改進(jìn)。它在采用浸沒光刻技術(shù)方面搶先于其競爭對手。IBM公司計(jì)劃在2、3年后的0.032微米工藝中采用其Nemo浸沒光刻技術(shù)；盡管計(jì)劃在0.045微米工藝中采用，但英特爾可能在0.032微米工藝中采用浸沒光刻技術(shù)。它計(jì)劃在2007年晚些時候向廠商交付0.045微米工藝芯片，它是第一批批在2005年末交付0.065微米工藝芯片的廠商之一；而德州儀器公司計(jì)劃在2007年晚些時候生產(chǎn)0.045微米工藝芯片樣品，商業(yè)化生產(chǎn)則需要等到2008年。Freescale公司計(jì)劃在這次會議上展示其據(jù)說可將芯片能耗量降低30%的硅絕緣技術(shù)。但它沒有表示是否會將這一技術(shù)應(yīng)用于0.045微米工藝。AMD公司則計(jì)劃在2008年年中開始生產(chǎn)0.045微米工藝芯片。

　　據(jù)業(yè)界人士認(rèn)為，摩爾定律將在0.022微米工藝芯片于2012或2014年問世后不再有效。到那時芯片廠商不得不采用晶體管之外的新結(jié)構(gòu)傳輸信號，這由于繼續(xù)縮小晶體管在經(jīng)濟(jì)上已經(jīng)不再可行了。但也有許多人士認(rèn)為，納米技術(shù)將使晶體管的壽命再次延長幾年時間。