DIGITIME企劃 旺宏推出Quad 4x75MHz DTR技術(shù)、600Mb/s傳輸速率的高速串列式NOR，可簡化嵌入式市場平臺PCB布線與降低成本；同時在面對浮閘設(shè)計(jì)的NAND Flash瀕臨制程上極限之際，旺宏也對正在研究中的新世代記憶體如PCM(相變化記憶體)、RRAM(電阻式記憶體)提出他們的看法…

旺宏電子資深產(chǎn)品行銷經(jīng)理Ralf Kilguss指出，目前Flash分NAND與NOR兩大類。前者以高容量見長，但是當(dāng)制程微縮到2x奈米以下時可靠度開始變差，像是Bad Block與ECC位元數(shù)增多；而NOR Flash若以3xnm制程可做到單顆2~4Gb容量，因此當(dāng)NOR制程微縮到4x奈米以下，將吸引并搶占低密度NAND的市場。他引用旺宏市場分析，預(yù)估到2014年Serial NOR市場總值達(dá)17億美元，Parallel NOR達(dá)12億美元，而SLC NAND僅11億美元。

他指出許多汽車電子、儀表上呈現(xiàn)的2D/3D圖形、動畫與視訊，急需快速讀取效能的NOR Flash，且快速可程式化的NOR Flash可使系統(tǒng)快速從深度睡眠模式下快速啟用。Serial NOR持續(xù)增加輸出速率與容量，獲得工控、網(wǎng)路與汽車電子應(yīng)用，將促業(yè)界從Parallel NOR與SLC NAND的采用出現(xiàn)轉(zhuǎn)移，以節(jié)省I/O組件的成本，2011年Serial Flash占NOR Flash出貨比重達(dá)65%，到2013年將進(jìn)一步! 提升到77%。

NOR/NAND技術(shù)上的差異與NOR Flash產(chǎn)品趨勢

Ralf Kilguss進(jìn)一步闡述NOR Flash與NAND Flash在技術(shù)上的比較。兩者都是浮閘電晶體裝置的設(shè)計(jì)，NOR Flash每一個Cell有獨(dú)立的Word Line、Bit Line與 Souce Line(源極線)，NAND Flash一個Floating Gate最多串32個Cell串成一組，每一個Cell只有一個Word line，不是每一個Cell都有Souce Line與Bit Line，因此NAND Layout比較簡單，密度也相對提高，平均每個Cell僅4F2；NAND Flash比較接近Serial介面，儲存在NAND Flash的程式碼，需要將程式碼復(fù)制到DRAM/
SRAM才能執(zhí)行，此外NAND Flash讀寫特性是讀取慢、