全球最大汽車微控制器(MCU)廠商瑞薩電子(RenesasElectronicsCorp。)、臺積電(2330)28日發(fā)布聯(lián)合英文新聞稿宣布簽定合約，擬將雙方的MCU技術(shù)合作范圍拓展至40奈米(nm)嵌入式快閃(EmbeddedFlash，eFlash)制程技術(shù)，這項技術(shù)可用來生產(chǎn)次世代汽車、消費者應(yīng)用產(chǎn)品(例如家電)內(nèi)建的MCU產(chǎn)品。

瑞薩過去已同意將采用90奈米eFlash制程技術(shù)的MCU外包給臺積電代工。在本次的40奈米MCU合作案當中，瑞薩會將采用40奈米以及未來制程技術(shù)的MCU委外代工。

根據(jù)新聞稿，在結(jié)合瑞薩的金屬氧化物氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon；簡稱MONOS)技術(shù)以及臺積電的高階CMOS制程技術(shù)之后，兩家公司將在MCU平臺與產(chǎn)能方面取得技術(shù)領(lǐng)先。此外，瑞薩、臺積電擬將MONOS制程平臺開放給全球半導(dǎo)體供應(yīng)商(包括IC設(shè)計公司與IDM)，希望借此建立生態(tài)體系(ecosystem)，并進一步拓展客戶群。

根據(jù)新聞稿，相較于90奈米制程技術(shù)，采用40奈米技術(shù)的MCU產(chǎn)品不但運算速度較快、耗電量較低，晶粒尺寸(diesize)還可縮小逾50%。