對于閃存存儲來講，容量和價格是其普及的主要因素，隨著技術的不斷發(fā)展突破，在將來閃存存儲一定會成為主流，但要想全面取代HDD，筆者認為兩年內是不可能達成的。

最近，TechSpot發(fā)布消息稱，SSD將于兩年內突破HDD的容量/價格“臨界點”。文章指出，Information Week的一份新報告，隨著3D NAND技術的發(fā)展，固態(tài)硬盤不僅容量會增加、其價格還會“直線下降”。固態(tài)硬盤(SSD)的容量將于2016年趕上機械硬盤(HDD)的水平，而首款30TB的SSD產品亦有望于2018年面世。

對于眾多企業(yè)來講，如果真像TechSpot預測的那樣，絕對是利好的消息。但筆者所關心的是，SSD真能于兩年之內替代HDD，恐怕沒有那么簡單!

在針對這一問題展開討論之前，先來看一下SSD的優(yōu)勢以及最近在技術方面有哪些新的突破。

談到SSD的優(yōu)勢，除了讀寫性能較HDD有了質的飛躍外，功耗、發(fā)熱量、體積等方面也有著很大的優(yōu)勢，尤其在大型的數據中心，全面采用SSD能夠節(jié)省很多成本，如電力、散熱等。

在技術方面，最初的NAND Flash采用的是2D平面技術，雖然制造工藝已經達到了15nm的先進水平(未來甚至會將制造工藝提升至9nm)，不過在其發(fā)展過程中已經遇到了嚴重的瓶頸——每個閃存儲存單元儲存的電子越來越少，抗磨損(每次寫入、擦除，需要高電壓，材料對電子控制能力隨之變弱)的冗余電子減少，嚴重影響閃存耐久。雖然隨著制造工藝的提升，2D NAND FLASH單位面積內可以存儲更多的電子，能夠帶來存儲容量的提升。但是，越先進的工藝，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，這會造成制造成本的提高，以致于達到某個點之后制程工藝已經無法帶來優(yōu)勢了。相比之下，3D NAND就解決了這一問題。

何為3D NAND呢?顧名思義，就是閃存的立體堆疊技術。Intel此前曾用平房和樓房的例子比較直觀的介紹了3D NAND技術，非常容易理解。Intel表示，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。由于閃存廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。另外，在剛剛過去的7月份，東芝率先推出64層堆棧的3D NAND，這意味著，閃存的成本和容量將會進一步拉低，拉響了新一低3D NAND閃存進入存儲市場的號角。

雖然3D NAND讓閃存廠商看到了希望，但想要在兩年內取代HDD，絕非易事。

首先，3D NAND技術還處于起步階段，并不成熟。即使在未來兩年內，這項技術已經得到成熟的應用，但新產品在上市之初，價格也不會太便宜，不會引起企業(yè)的大面積采購。

其次，新產品取代老產品，必須獲得充分的應用驗證，保證足夠的可靠性、可用性和安全性，這需要一個較長的周期，特別在企業(yè)級市場。即使3D NAND閃存能夠盡快投入應用當中，其成熟期最快也得需要一兩年的時間。

再次，機械硬盤的發(fā)展并未停滯不前，很多廠商還在繼續(xù)深挖垂直記錄(PMR)、疊瓦式磁記錄(SMR)、充氦，推進熱輔助磁記錄(HAMR)、二維磁記錄(TDMR)等，其中后者有望在兩三年內商用，而前者雖然提了很久但依然比較遙遠。

因此，筆者認為，SSD在未來兩年內全部取代HDD，基本上是不可能的。

不過，在企業(yè)的關鍵性業(yè)務上，比如很多的互聯網、金融等企業(yè)，SSD已經開始逐步占據主導地位。但是，在非關鍵性業(yè)務上，HDD仍然占據主導地位。

至于存儲的發(fā)展方向預測，當前來看SSD絕對是未來的主流。不過，技術的發(fā)展速度太快了，誰能保證在未來會不會出現性能更強、成本更低的新技術和新產品。