三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)64層256Gb V-NAND閃存芯片，該閃存芯片將用于服務(wù)器，PC和移動(dòng)設(shè)備。

三星在今年一月份開(kāi)始為主要IT客戶生產(chǎn)基于64層256Gb V-NAND芯片的業(yè)界首款SSD，64層V-NAND芯片也被認(rèn)為是第四代V-NAND芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)1Gbps，具有業(yè)界最短的500微秒(?)的燒錄器燒錄單個(gè)芯片的時(shí)間(tPROG)，比典型的10納米(nm)級(jí)的平面NAND閃存快約四倍，比三星最快的48層3位256Gb V-NAND閃存的速度快了約1.5倍。

三星表示，與之前的48層256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb 3-bit V-NAND提供了超過(guò)30%的生產(chǎn)率增益。此外，64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓，與使用48層V-NAND的3.3伏相比，能量效率提高了約30%。此外，新的V-NAND電池的可靠性與前代相比也增加了約20%。

三星還表示，基于其64層V-NAND的成功，三星未來(lái)還將通過(guò)堆疊超過(guò)90層的單元陣列，以生產(chǎn)具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。