存儲器是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。

存儲器，廣泛應用于手機、平板、PC及各類智能終端產(chǎn)品中，在半導體產(chǎn)品當中占有舉足輕重的地位。而該市場今年以來最重要的一個關鍵詞就是缺貨漲價，由缺貨導致的漲價已經(jīng)困擾了存儲器芯片市場許久，甚至下游的智能手機產(chǎn)品也受到波及隨之提價。

不過這一情況或許會在不久的將來得到緩解，市場龍頭企業(yè)三星已宣布擴建西安生產(chǎn)線，且東芝芯片業(yè)務出售案也終于塵埃落定，這些或成為處于“漲漲漲”狀態(tài)的存儲器市場歸于平靜的加速者。為何說三星和東芝此番動作或有非凡意義呢?我們先來看看存儲器芯片的構成和主要玩家，以便看清三星和東芝在該市場的地位和影響力。

DRAM、NAND Flash、Nor Flash是主流的存儲器產(chǎn)品，DRAM屬于斷電后存儲器內的信息就流失的易失性類，該市場基本被三星、SK海力士和美光所壟斷;NAND Flash、Nor Flash屬于斷電后存儲器內信息還會存在的非易失性類，其中NAND Flash也是一個高度壟斷的市場，三星、SK海力士、東芝、美光、閃迪(被西部數(shù)據(jù)收購)、英特爾六家公司幾乎瓜分了該市場;相對來說，市場較小的Nor Flash分散度大一點。

三星和東芝作為存儲器市場上數(shù)一數(shù)二的廠商，此番一家擴產(chǎn)一家出售業(yè)務，后續(xù)將對于市場產(chǎn)生的作用是非常值得期待的，尤其東芝芯片業(yè)務的出售對象包括已經(jīng)拿下了閃迪的西部數(shù)據(jù)。

“壕”三星 70億美元擴產(chǎn)西安廠

近日，三星宣布計劃未來三年投資70億美元(約為463億元人民幣)擴大旗下中國西安工廠的NAND Flash芯片產(chǎn)能。公司在文件中表示，這筆預期投資中的23億美元已在周一獲得管理委員會的批準。另外，報道稱新建生產(chǎn)線將全部用于制造V-NAND(垂直閃存)。

據(jù)了解，三星于2012年宣布在西安建設閃存芯片工廠，一期投資70億美元，2014年建成生產(chǎn)線，目前開工率100%。此外，三星(中國)半導體有限公司2013年和2015年曾先后兩次增資擴股，投資總額增加至105億美元，注冊資本增加至35億美元，增資部分則是用于12英寸閃存芯片擴產(chǎn)。

三星在存儲器芯片領域毋庸置疑是領跑者，今年第二季更是憑借其在存儲器芯片領域的深厚功底超越英特爾正式成為全球最大芯片制造商。作為存儲器芯片漲價的獲益者，三星旗下半導體業(yè)務在第二季實現(xiàn)158億美元營收和72億美元盈利，超越了英特爾148億美元營收和38億美元盈利，英特爾保持了24年的世界第一位置宣告易主，而這其中最大的“功臣”就是存儲器芯片。

中國是消費電子大國，個人所擁有的終端產(chǎn)品數(shù)量將隨國民生活水平提升而增加，對于半導體芯片的需求巨大，眾多國際大廠紛紛選擇到中國建廠以便獲得競爭優(yōu)勢。而三星此次擴充產(chǎn)能或將對正努力實現(xiàn)自主替代的國內存儲器芯片廠商造成壓力。

東芝芯片業(yè)務能否順利“嫁”西部數(shù)據(jù)?

說完了在NAND Flash芯片占據(jù)第一名的三星，我們來說說第二名東芝。不同于三星的風光，東芝這幾年過的并不稱心如意，由于投資美國西屋電氣失利，迫使東芝不得不出售旗下優(yōu)質資產(chǎn)閃存芯片業(yè)務用來自救。但此次出售也是一波三折劇情相當?shù)?ldquo;反套路”，最終花落西部數(shù)據(jù)所在財團不知讓多少關注者意外。

自東芝打算出售閃存芯片業(yè)務以來，西部數(shù)據(jù)就是很活躍的競購方，早前東芝曾計劃將芯片業(yè)務出售給SK海力士所在的“日美韓聯(lián)盟”時，西部數(shù)據(jù)還曾發(fā)出過反對聲音，雙方因出售案發(fā)生的分歧之大甚至已訴諸法院。此外，東芝8月初還因未能達成一致而獨自投資芯片業(yè)務建設生產(chǎn)線。沒想到劇情峰回路轉，東芝與西部數(shù)據(jù)所在的財團達成協(xié)議，將以174億美元價格出售芯片業(yè)務。據(jù)悉，除西部數(shù)據(jù)外，日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機構、美國私募股權投資公司KKR都是此次收購聯(lián)合體的成員。

出售案結局看似已定，西部數(shù)據(jù)所在財團如愿獲得東芝芯片業(yè)務，但消息人士透露，雙方目前還有許多分歧待解決，且還要考慮到中國《反壟斷法》的影響，否則可能會拉長審查時間。如去年東芝向佳能出售醫(yī)療系統(tǒng)公司時，中國方面的審查花了9個月，日本公平交易委員會的審查時間則是3個月，而此次涉及到半導體業(yè)務的出售案審查想必非常嚴格。此外，還有消息稱美國私募股權公司貝恩資本領銜的財團為東芝芯片業(yè)務開出了182億美元的競購價，而這其中還包含了蘋果公司部分。

西部數(shù)據(jù)在此之前已經(jīng)拿下了閃存領域的重量級廠商閃迪，此次所在財團與東芝達成協(xié)議，在閃存芯片和固態(tài)硬盤崛起的當下，將成為西部數(shù)據(jù)守住自己硬盤之王地位的有利條件，只是不知道能否搶過出價更高的貝恩資本領銜的財團。

進擊的兆易創(chuàng)新 獲大基金支持

在了解了閃存芯片兩大王者的動態(tài)之后，將目光轉到國內，Nor Flash市場主導者之一、國內存儲器中堅力量兆易創(chuàng)新近日發(fā)布公告，表示收到股東啟迪中海、盈富泰克通知，二者與大基金簽署了《股份轉讓協(xié)議》，轉讓占公司股份總數(shù)11%的股份給后者。

據(jù)悉，兆易創(chuàng)新成立于2005年，旗下產(chǎn)品包括Nor Flash、NAND Flash及MCU，可用于手持移動終端、消費類電子產(chǎn)品、個人電腦及周邊、網(wǎng)絡、電信設備、醫(yī)療設備、辦公設備、汽車電子及工業(yè)控制設備等多個領域。

兆易創(chuàng)新是為數(shù)不多在Nor Flash芯片領域具有領先地位的國內企業(yè)。根據(jù)公司近日發(fā)布的財報顯示，報告期內兆易創(chuàng)新實現(xiàn)9.39億元營業(yè)收入，同比增長43.29%;凈利潤1.79億元，同比增長99.59%。為適應市場應用需求，公司上半年繼續(xù)加大研發(fā)投入豐富產(chǎn)品線。針對物聯(lián)網(wǎng)市場推出了超低功耗的Nor Flash產(chǎn)品，并且持續(xù)推進先進工藝技術，保持業(yè)界領先地位穩(wěn)步推進45nm Nor Flash產(chǎn)品研發(fā)。NAND Flash方面在原來基礎上，調試優(yōu)化24nm技術產(chǎn)品并取得顯著進展為后續(xù)發(fā)展做好技術儲備。此外，還持續(xù)打造MCU產(chǎn)品線競爭力，加大擴展市場占用率并加強在各個階層應用的覆蓋率。

對于大基金收購兆易創(chuàng)新股份的目的，公告亦有提及，表示是為發(fā)揮大基金支持國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引導作用，支持其成為國際領先的存儲芯片和MCU設計公司，進一步提升其研發(fā)能力和技術水平，推動兆易創(chuàng)新產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化應用，形成良性自我發(fā)展能力，帶動國家存儲產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展，同時為大基金出資人創(chuàng)造良好回報。

征奪市場 中國有三大力量

兆易創(chuàng)新在整個存儲器芯片領域地位趕不上三星和東芝，但在壟斷程度沒有那么高的Nor Flash市場上，亦是有一定的行業(yè)影響力，尤其是美光和賽普拉斯都打算淡出這個市場后。那么在我國大力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)尤其是存儲器的當下，閃存芯片冠亞軍三星、東芝加上Nor Flash領軍者之一兆易創(chuàng)新此番的擴產(chǎn)、出售、股權轉讓等行為受到關注，進一步體現(xiàn)了存儲器芯片對于產(chǎn)業(yè)鏈上下游發(fā)展的影響力。正如在智能手機時代，我們已通過不同存儲規(guī)格手機定價差異之大了解到存儲器芯片之重要。在物聯(lián)網(wǎng)時代，聯(lián)網(wǎng)設備數(shù)量激增將造就海量信息存儲需求，將為存儲器開拓出更為廣闊的應用市場。那么，在DRAM和NAND Flash等市場中國廠商準備的怎么樣了?

據(jù)悉，目前我國已有了長江存儲、福建晉華和合肥長鑫等三大存儲器勢力，其中長江存儲前身是武漢新芯，一期工程是就32層3D NAND Flash展開的，計劃2018年實現(xiàn)量產(chǎn)2019年達成產(chǎn)能滿載。此外，盛傳該公司組建了20/18nm DRAM技術開發(fā)團隊。福建晉華項目是國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，由聯(lián)電協(xié)助其開發(fā)相關制程技術，開發(fā)的技術應用在利基型DRAM生產(chǎn)上，預計將在2018年開始試產(chǎn)。合肥長鑫投資72億美元，打造的12寸存儲晶圓廠將以19nm DRAM產(chǎn)品為主，計劃在2019年年底實現(xiàn)12.5萬片月產(chǎn)能。

近些年我國一直通過政策、資金等方面建設半導體產(chǎn)業(yè)，以實現(xiàn)自主替代擺脫“缺芯之痛”。在這條路上我們已經(jīng)走出了很遠，已擁有兆易創(chuàng)新這樣在Nor Flash市場占有一席之地的企業(yè)，更是在全力開啟DRAM和NAND Flash市場大門。相信在上下一心的建設下，“中國芯”必有出頭之日