目前南韓政府正在擔心先關(guān)的高科技技術(shù)外流，考慮禁止半導體及面板產(chǎn)業(yè)到中國進一步設(shè)廠、擴廠，造成對南韓企業(yè)經(jīng)營上的傷害。不過，有消息人士指出，南韓政府這樣的考慮、似乎與南韓日前決定部署薩德(THAAD) 高空戰(zhàn)區(qū)反飛彈系統(tǒng)，因而激怒中國當局，導致全面抵制有直接的關(guān)系。

報導中指出，南韓政府過去制定的政策，鼓勵包括三星、LG、SK 海力士等大型企業(yè)到中國大量投資設(shè)廠的情況，如今面臨了嚴重的考驗。因為，在中國客戶始終不給予相關(guān)南韓企業(yè)訂單的情況下，這些企業(yè)的產(chǎn)品將逐漸在中國市場失去競爭優(yōu)勢。

對此，南韓工業(yè)和能源部部長Baek Woon-kyu 就在18 日于首爾舉行的「半導體與顯示器產(chǎn)業(yè)會議」 中表示，南韓政府將重新考慮包括半導體與面板等產(chǎn)業(yè)進入中國的政策。而餐與該項會議的包括三星電子副主席權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)，SK 海力士副主席樸松郁，LG Display 副主席韓相范( Han Sang-beom) 等企業(yè)高層。

報導中進一步引述知情人士的消息指出，就在Baek Woon-kyu 于會議中與權(quán)五鉉單獨會面時表示，Baek Woon-kyu 希望三星參考樂天因為南韓部屬薩德而遭到中國報復的例子，重新思考三星在中國西安記憶體工廠的擴大投資計劃。因為，三星在2016 年宣布，將在未來3 年內(nèi)斥資70 億美元在中國西安工廠設(shè)置第2 條生產(chǎn)線，用以生產(chǎn)目前市場價格正夯的3D NAND Flash 快閃記憶體，并且已經(jīng)與當?shù)卣瀸傧嚓P(guān)投資備忘錄。而另一家南韓記憶體大廠SK 海力士，也正計劃將在中國的無錫工廠增加產(chǎn)能。

據(jù)了解，由于DRAM，NANDFlash 快閃記憶體和OLED 顯示器都已經(jīng)被南韓指定為國家重要科技技術(shù)，相關(guān)的技術(shù)或產(chǎn)品輸出都必須要獲得南韓政府的許可。如今，在南韓政府考慮將限制相關(guān)產(chǎn)業(yè)赴中國投資的情況下，包括三星與SK 海力士的投資案都可能因此而告終。而除了半導體產(chǎn)業(yè)之外，正在計劃在廣州建設(shè)第8 代OLED 顯示屏幕的LG Display 也可能將受到這個計劃的限制。這個LGD 與南韓政府談判了半年多的計劃，截至目前為止仍受到限制而尚未放行。

對于阻止半導體及面板產(chǎn)業(yè)赴中國投資的南韓政府，希望企業(yè)能將投資的資金留在南韓國內(nèi)。對此，南韓政府在18 日就宣布，相關(guān)半導體與面板廠商就計劃在2024 年之前，在南韓國內(nèi)投資共51.6 兆韓圓，以刺激國內(nèi)經(jīng)濟并創(chuàng)造就業(yè)。其中，三星電子在2021 年之前將投資21.4 兆韓圓在京畿道、忠清南道蓋OLED 廠。SK 海力士則是計劃在2024 年前投資15.5 兆韓圓，于忠清北道建造NAND Flash 快閃記憶體工廠。LGD 則是未來3 年內(nèi)，將投資15 兆韓圓在京畿道和慶尚北道設(shè)OLED 廠。