2017年即將過去，回首過去一年的存儲芯片市場，大家感慨最多的還是漲價——8GB DDR4內(nèi)存從去年的200多塊漲到了最高900多，三四倍的漲價幅度讓人難以承受，SSD硬盤雖然漲幅沒這么夸張，但是相比之前也有一倍多的漲價，以致于很多人依然只能選擇120GB的容量。這一輪閃存、內(nèi)存漲價有市場供需失衡的原因，但是根本原因還在于存儲芯片市場壟斷在三星、SK Hynix、美光、東芝等少數(shù)國外公司中，中國在這個領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)，別人漲價我們也只有承受代價的份兒。所以說要想扭轉(zhuǎn)內(nèi)存、閃存市場漲價的態(tài)勢，只有國內(nèi)廠商也介入這個市場，增加競爭壓力才有可能。過去的周末似乎傳來了好消息，有網(wǎng)友曝光了紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存，單條4GB，一時間群情激越，仿佛讓人看到了內(nèi)存大降價的希望，不過真相很殘酷，這不光是個舊聞，實(shí)際上紫光現(xiàn)在并沒有能力生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。

這幾天有網(wǎng)友貼出了一款之前沒見過的內(nèi)存——這是一條看似尋常的綠色PCB無馬甲內(nèi)存條，容量4GB，怎么看都沒什么特別的，不過上面的logo是Unilc，這是紫光國芯公司的logo，而紫光國芯是紫光集團(tuán)的控股子公司，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?、深圳國微、紫光同?chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，“紫光國芯是紫光集團(tuán)旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計開發(fā)領(lǐng)域，堅(jiān)持穩(wěn)健經(jīng)營、持續(xù)創(chuàng)新、開放合作，是目前國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路芯片設(shè)計和系統(tǒng)集成解決方案供應(yīng)商。”，所以這張照片很快在網(wǎng)絡(luò)上得到傳播，成為紫光成功造出DDR4內(nèi)存芯片的證據(jù)，更有媒體、自媒體宣稱這是國內(nèi)首條自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存。

如果國產(chǎn)DDR4內(nèi)存研發(fā)成功，這無疑是一件大好事，不過這則爆料沒傳幾天就被戳破了謊言——首先這個并不是DDR4內(nèi)存，而是4GB DDR3內(nèi)存，上面略顯模糊的標(biāo)記如PC3-12800正是DDR3-1600內(nèi)存頻率，CL11-11-11的時序也符合DDR3-1600標(biāo)準(zhǔn)。其次，就算是DDR3內(nèi)存，這實(shí)際上也不是紫光的技術(shù)，西安紫光國芯公司最初是英飛凌科技2003年在西安設(shè)立的存儲事業(yè)部，2006年英飛凌拆分了存儲事業(yè)部成立奇夢達(dá)公司，西安的奇夢達(dá)公司也獨(dú)立運(yùn)營，2009年被國內(nèi)的浪潮集團(tuán)收購，公司改建為西安華芯公司，2015年紫光國芯收購了西安華芯，成立了現(xiàn)在的西安紫光國芯公司。

所以說，這條內(nèi)存條實(shí)際上是早前英飛凌、奇夢達(dá)時代的產(chǎn)物，紫光及紫光國芯目前并沒有生產(chǎn)DDR4內(nèi)存的能力和技術(shù)。在紫光公司的規(guī)劃中，他們這兩年最重要的任務(wù)是武漢的長江存儲科技，主要產(chǎn)品是3D NAND閃存而非DRAM內(nèi)存，畢竟長江存儲的前身武漢新芯科技早前跟飛索半導(dǎo)體合作過NAND閃存，還是有一些閃存技術(shù)積累的，而DRAM內(nèi)存就基本上是一篇空白了。

不過國內(nèi)公司遲早也會進(jìn)軍DRAM內(nèi)存芯片市場，紫光集團(tuán)武漢基地的二期規(guī)劃就是DRAM內(nèi)存工廠，而其他廠商如合肥長鑫、福建晉華集團(tuán)則是主攻DRAM內(nèi)存技術(shù)，分別與前日本爾必達(dá)公司人員、臺系聯(lián)電等公司合作，不過DRAM內(nèi)存顆粒要比NAND閃存難度更高，這個過程可能要很長一段時間。

目前紫光國芯也做出了官方回應(yīng)：關(guān)于公司DDR4產(chǎn)品的報道并不確切，公司正在開展DDR4存儲器芯片及模組的設(shè)計開發(fā)工作，目前該產(chǎn)品還處于研發(fā)階段，按照計劃產(chǎn)品將在明年開始逐步推向市場。從產(chǎn)品開發(fā)完成到實(shí)現(xiàn)批量銷售還需要花比較長的時間，做大量的市場開拓工作，任重而道遠(yuǎn)。