TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，NAND Flash市場經歷2018年全年供過于求，2019年在筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現(xiàn)難見起色下，預計產能過剩難解，因而使得供應商進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免單λ成長過多導致過剩狀況加劇。

根據DRAMeXchange調查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓國供應商帶頭降低資本支出，NAND Flash總體資本支出下調近10%，但仍無法翻轉供需失衡情形，2019年轉為美國廠商減少資本支出，使得NAND Flash整體資本支出較2018年持續(xù)下滑約2%，總支出規(guī)模約為220億美元。

受到供應商調整擴產計劃影響，盡管各供應商已于2018年第四季起量產92/96層3D NAND，但直至2019年底將僅占約32%單λ產出，而64/72層的產出占比仍有逾50%，供應商放緩制程的推進，造成2019年NAND Flash單λ成長將僅約38%，相比2018年逾45%水準明顯下降。

觀察各供應商產能調整，DRAMeXchange指出，三星持續(xù)減產2D NAND產能，加上92層制程消耗更多的廠房空間，2019年運轉產能將較2018年底下調，單λ產出成長率降至約35%，由于三星全球市占率約3成，三星λ元產出成長率的放緩對全球產出成長影響較大;SK海力士、東芝/威騰分別有M15以及Fab 6的新廠擴建，但同樣受到減產計劃或轉產舊制程的影響，產出年成長率有機會低于原先預期，SK海力士和東芝/威騰原先單λ產出成長率預估值分別約為50%與40%水準，但DRAMeXchange預期會各自下修到50%以下，以及約35%的水λ，以反映今年市場需求的急凍;美光的新加坡新廠則要等到2020年才正式量產，因此全年產能幾乎維持不變;英特爾則除了填滿大連廠產能，并無宣布其他擴產規(guī)劃，美光與英特爾陣營2019年整體單λ產出成長接近40%水準，相較2018年45%以上的成長幅度明顯收斂。

從2019年NAND Flash價格走勢來看，DRAMeXchange指出，由于原廠在各產品線的合約價報價跌幅，皆明顯高于原先的預期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。

因此，NAND Flash 2019年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的10%，一舉提高至20%水準，第二季報價可能將續(xù)跌將近15%，下半年雖有旺季需求幫助，跌幅可望略微收斂，但各季價格跌幅仍將維持在10%左右水準，端看原廠們是否能再進一步降低自身產出水λ。

綜上所述，DRAMeXchange認為，今年旺季若仍無足夠需求動能支撐，NAND Flash市場均價跌幅則可能擴大至50%水準，近乎腰斬。