目前 64-Layer 3D TLC 已經(jīng)是主流 SSD 選配的存儲器顆粒，用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當(dāng)然并不是終點(diǎn)，業(yè)界已經(jīng)正在步向 128-Layer 的存儲器顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、長江存儲已經(jīng)宣布了相關(guān)的計劃，現(xiàn)在 Toshiba 與 Western Digital (WD)的 128-Layer 存儲器顆粒計劃也泄©出來了。

有資料顯示，Toshiba 與 Western Digital 的128-Layer 3D NAND，其被命名為 BiCS 5 (96-Layer 3D NAND 為 BiCS 4)，將會使用 CuA 設(shè)計，與非 CuA 技術(shù)相比可把芯片尺寸縮小 15%。目前公布出來的 128-Layer 3D NAND 為 TLC 設(shè)計，存儲密度接近 96-Layer 3D QLC，若果采用 QLC 設(shè)計的話則更高。

BiCS 5 單 die 采用 4 Planes 設(shè)計，而與 2 Planes 設(shè)計相比寫入速度由 66 MB/s 提升到 132 MB/s，意ζ著 SSD 在 SLC Cache 用盡后 TLC 的原始寫入速度也不會太難看，不過具體寫入速度還需看主控的算法。

預(yù)計 Toshiba 與 Western Digital 將會在 2020 年末開始投產(chǎn) 128-Layer BiCS-5 存儲器，而要達(dá)到量產(chǎn)的話應(yīng)該要到 2021 年。