最近根據(jù)韓國(guó)相關(guān)媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

目前存儲(chǔ)器合約價(jià)格不一定會(huì)出現(xiàn)急漲，但整體存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈庫(kù)存水位降低至尾聲，隨著需求穩(wěn)健上揚(yáng)，5G 及服務(wù)器應(yīng)用在第 2 季成長(zhǎng)力道轉(zhuǎn)強(qiáng)，預(yù)計(jì) 2020 年下半 DRAM 與 NAND Flash 將出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊。

相較于 2018 年第 4 季，2019 年底 NAND Flash 及 DRAM 市場(chǎng)價(jià)格已大幅下跌 6 成，其中，有一半的跌幅都在 2019 年第 2 季發(fā)生，第 3 季起市場(chǎng)開(kāi)始需求回升，根據(jù)近期系統(tǒng)廠商陸 2020 年訂單展望，預(yù)期 2020 年整體 ASP 價(jià)格將可望明顯優(yōu)于 2019 年，預(yù)期價(jià)格回升將可達(dá)到 3 成，NANDFlash 的回漲速度將比 DRAM 價(jià)格更快反應(yīng)。

IC Insights 預(yù)估，2019 年 NAND Flash 與 DRAM 市場(chǎng)分別衰退 27%和 37%，在 2020 年將分別迎來(lái) 19%與 12%的年成長(zhǎng)表現(xiàn)，NAND Flash 預(yù)期將成為 2020 年 33 款 IC 產(chǎn)品類別中，增幅度最高的產(chǎn)品。

此前世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織 (WSTS)預(yù)測(cè)，明年存儲(chǔ)芯片行業(yè)和全球半導(dǎo)體市場(chǎng)整體將分別增長(zhǎng) 4.1%和 5.9%。樂(lè)觀的前景是基于 5G 服務(wù)對(duì)移動(dòng)芯片的需求增加，以及英特爾下一代 Ice Lake 服務(wù)器芯片需求增加。

根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，移動(dòng)設(shè)備芯片需求占去年 DRAM 總需求的 32%，預(yù)計(jì)此比例今年將增長(zhǎng)到 34%。隨著 5G iPhone 的發(fā)布以及華為在 5G 智慧型手機(jī)的發(fā)展。Kiwoom Securities 估計(jì)，到 2020 年，全球 5G 智慧型手機(jī)銷量將達(dá)到 1.77 億部，高端移動(dòng) DRAM 需求將增長(zhǎng) 45%，整體行動(dòng) DRAM 需求增長(zhǎng) 22%。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)期武漢新廠至 2020 年底，單月晶圓產(chǎn)能可提升至 6 萬(wàn)片，約占全球產(chǎn)能 5%;長(zhǎng)鑫儲(chǔ)存預(yù)期投資 80 億美元興建的合肥廠，單月 DRAM 芯片產(chǎn)能可達(dá) 4 萬(wàn)片晶圓，約占全球 DRAM 產(chǎn)能 3%。

全球 DRAM 年產(chǎn)能約達(dá) 140 萬(wàn)片左右，目前合肥長(zhǎng)鑫的規(guī)劃，一個(gè)廠房進(jìn)入全產(chǎn)能的市占率僅約 3%，未來(lái) 3 個(gè)廠區(qū)全面投產(chǎn)的市占率約 9%，對(duì)于整體 DRAM 市場(chǎng)的供需影響及價(jià)格沖擊仍然很有限。

由于 2020 年 5G 帶動(dòng)相關(guān)需求回升，國(guó)際大廠擴(kuò)產(chǎn)保守，國(guó)內(nèi)兩大新進(jìn)廠商產(chǎn)能占全球比重仍低，預(yù)期存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)維持穩(wěn)中有升的格局。