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[導讀]云存儲市場規(guī)模將以 23.7%的復合年增長率(CAGR)增長,預計到 2022 年將達到 889.1 億美元。據估計,目前數據中心和云存儲會消耗總發(fā)電量的 3%,而隨著業(yè)界對云存儲和數據中

云存儲市場規(guī)模將以 23.7%的復合年增長率(CAGR)增長,預計到 2022 年將達到 889.1 億美元。據估計,目前數據中心和云存儲會消耗總發(fā)電量的 3%,而隨著業(yè)界對云存儲和數據中心的需求以這樣的速度快速增長,預計能源需求在短期內會顯著增加。由于能源使用對環(huán)境的影響,以及有望節(jié)省數百萬美元的運營成本,數據中心設計人員受到挑戰(zhàn),需要采用先進的配電和管理方案來提高能效,同時保持或減小外形尺寸。在這方面,即使實現很小百分點的能效改善,也可以節(jié)省大量寶貴的能源和成本。

一個重要目標是降低電源使用效率(PUE)比率。要實現這個目標,就需要使用技術來獲得更高的能效、準確性和可靠性。這涉及到配電系統(tǒng)(PDU)、母線槽、不間斷電源(UPS)及其保護電路。

由于數據中心和云存儲系統(tǒng)的功率密度不斷提高,對過流保護的要求比以往任何時候都更具挑戰(zhàn)性,并且已成為所有的保護考慮因素當中最關鍵的因素之一。業(yè)界越來越需要提高準確性、可靠性、安全性(例如滿足 IEC 62368 標準)和加快響應速度以及先進診斷。傳統(tǒng)的保險絲由于響應遲緩、缺乏診斷或故障報告而不能滿足這些要求。

將電子保險絲(eFuse)的規(guī)格和性能與同等傳統(tǒng)保險絲——例如熔斷式保險絲和聚合物正溫度系數(PPTC)可復位保險絲——的進行比較,可知 eFuse 具有非常短的響應時間和非常好的浪涌電流控制,在發(fā)生短路時可大幅減小電流尖峰。

 

 

圖 1:eFuse 與傳統(tǒng)保險絲對比

由于上述原因和近年來新技術的出現,只要情況允許,設計人員就會試圖將傳統(tǒng)的保險絲替換成熱插拔控制器加外部 FET,或者 eFuse。eFuse 包含一個功率 MOSFET 和一個集成控制器,并具有許多內置保護功能,例如過壓、過流、電池短路和熱保護,以及診斷功能,例如電源正常(power good)、電流監(jiān)控和故障 / 使能。另一方面,熱插拔控制器是使用外部 FET 而不是集成式 FET,并且通常用于較大電流的應用。

 

 

圖 2:eFuse 的功能

兩種技術的主要區(qū)別在于,eFuse 能夠實時跟蹤內置 MOSFET 裸片的溫度和電流,并迅速采取糾正措施;熱插拔控制器可以通過增大主 MOSFET 來增大電流,因此在超過 100A 的大電流應用中仍將受到歡迎。然而,eFuse 可承受從 1A 以下到 50A 的連續(xù)電流(取決于導通 RDS(ON)、封裝和邊界條件),因此有望在服務器和云存儲應用中普及。

 

 

圖 3:eFuse 和熱插拔控制器

eFuse 現已在各種云應用中有所使用,包括用作存儲設備的企業(yè)硬盤驅動器(HDD)和固態(tài)硬盤(SSD)、存儲系統(tǒng)中的背板保護、服務器和熱插拔風扇。每種應用都提出了不同的挑戰(zhàn)。驅動電感性和電容性負載時會產生電應力,熱插拔和短路也會產生應力,因此很難保證系統(tǒng)工作在安全工作區(qū)(SOA),并在滿足嚴格能效要求的同時實現功能安全。一些關鍵應用和相關挑戰(zhàn)如下。

 

 

圖 4:eFuse 在云應用中的使用

1. 面向所有應用的快速、準確的過流保護:熔斷式保險絲和 PPTC 等傳統(tǒng)解決方案的耐受性非常差,響應時間和跳閘時間從幾百毫秒到幾秒不等,具體取決于短路事件的類型。同時,大多數 eFuse 都會根據所編程的電流限值,在幾微秒(<5µs)內對短路事件做出響應,并將電流保持在編程值處,直到裸片溫度超過熱關斷閾值為止。

2. 可熱插拔風扇和存儲系統(tǒng):由于這些應用涉及到電機或具有大輸出電容器,它們在啟動時可能會出現大浪涌電流。然而,在輸出端采用轉換速率可控可編程的 eFuse,有助于減少大浪涌電流,而使系統(tǒng)受到保護。特別是對于風扇來說,是否有采用 eFuse,對浪涌電流有很大的影響。有 eFuse 的話,浪涌電流可大幅降低,從而保護下游電路。

3. 電源過壓保護:過流保護輸入端所連的電源或 DC-DC 轉換器有可能發(fā)生故障,而使所有下游電路遭受過壓應力,但其耐壓水平可能沒那么高。幸運的是,eFuse 內置過壓保護功能,即使輸入電壓遠高于工作電壓,它也可將器件的輸出鉗位到一定的安全電壓水平。這樣就可以保護下游電路免受過壓應力的影響。在許多情況下,受保護的電路可耐受的過電壓應力非常低。因此,過壓保護不僅要可靠,還要非???。對于 eFuse 來說,檢測并激活內部鉗位的時間約<5µs。

安森美半導體已開發(fā)出多種 eFuse,范圍從 3V 到 12V 不等,并支持從 1A 到 12A 的連續(xù)電流。最新的器件是 12V eFuse 系列——NIS5232、NIS5820、NIS5020 和 NIS5021——分別支持 4A、8A、10A 和 12A,可用于需要過流、過熱、過壓和浪涌電流保護的應用,并能通過 GPIO 報告故障以及禁用輸出。在不斷減小整體設計尺寸的壓力下,DFN10(3mm x 3mm)和 DFN10(4mm x 4mm)封裝有助于應對挑戰(zhàn)并支持緊湊的電路板布局。

總結

由于提高電源使用效率的壓力和愿望與日俱增,數據中心和云服務器的功率密度不斷增加,以及安全標準的推行,過流保護器件所承受的負擔正在改變并變得更加復雜。eFuse 具備高精度、快速響應速度、高可靠性、故障報告功能和診斷特性,有助于解決云應用、工業(yè)、汽車和電信設備過流保護的挑戰(zhàn)。

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