近期由國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)資訊，萬(wàn)業(yè)企業(yè)全資子公司上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“凱世通”)的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進(jìn)入離子注入晶圓驗(yàn)證階段。

業(yè)內(nèi)人士指出，這標(biāo)志著公司已具備先進(jìn)制程的低能大束流離子注入整機(jī)工藝驗(yàn)證的能力，未來(lái)有望為全球先進(jìn)制程邏輯、存儲(chǔ)、5G 射頻、攝像頭 CIS、功率半導(dǎo)體等不同應(yīng)用領(lǐng)域芯片客戶提供離子注入工藝驗(yàn)證服務(wù)，提升客戶晶圓制造能力與芯片性能。

近年來(lái)，萬(wàn)業(yè)企業(yè)積極謀求轉(zhuǎn)型集成電路，以“外延并購(gòu)+產(chǎn)業(yè)整合”雙輪驅(qū)動(dòng)，縱深推進(jìn)公司快速變革。2018 年，公司成功收購(gòu)國(guó)內(nèi)唯一商用的光伏與集成電路離子注入機(jī)公司——凱世通，切入離子注入機(jī)業(yè)務(wù)。

據(jù)了解，離子注入是芯片制造前道工藝中必不可少的一道，每個(gè)芯片制造過(guò)程中都需進(jìn)行 20-25 次的離子注入，因而離子注入機(jī)的研制是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。由于離子注入機(jī)至關(guān)重要，業(yè)內(nèi)將其與光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備被并稱為集成電路制造的“四大金剛”。

公開資料顯示，離子注入機(jī)是芯片制造必不可少的關(guān)鍵設(shè)備之一，為快速突破集成電路國(guó)產(chǎn)化瓶頸，近年來(lái)，國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)也受到國(guó)家政策的重點(diǎn)支持。2014 年，在《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中，明確指出離子注入機(jī)是發(fā)展我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備;2017 年，發(fā)改委頒布的《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》中將集成電路離子注入機(jī)納入目錄范圍;2018 年，工信部發(fā)布的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄》，將中束流、大束流以及高能離子注入機(jī)列入名單。從各類政策可見(jiàn)，萬(wàn)業(yè)企業(yè)專注研發(fā)的離子注入機(jī)等制造裝備已是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化過(guò)程中必需攻克的關(guān)鍵一環(huán)。

隨著集成電路工藝技術(shù)的持續(xù)提升，晶體管不斷縮小，集成電路制程進(jìn)一步向尖端工藝發(fā)展，這對(duì)相關(guān)生產(chǎn)制造設(shè)備也提出了更高的要求。在此背景下，萬(wàn)業(yè)企業(yè)聚焦的技術(shù)含量最高的低能大束流離子注入機(jī)日漸成為主流。根據(jù)浦東投資的統(tǒng)計(jì)，目前低能大束流已占有離子注入機(jī)市場(chǎng)份額的 55%。

結(jié)合國(guó)內(nèi)外集成電路制程技術(shù)路線現(xiàn)狀，凱世通采取“領(lǐng)先一步”的策略、采用有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力設(shè)計(jì)理念，著力研制 16 納米及以下制程的 FinFET 集成電路離子注入機(jī)，并針對(duì)研制低能大束流離子注入機(jī)所需要解決的關(guān)鍵技術(shù)和技術(shù)難點(diǎn)，建立起相應(yīng)的研發(fā)平臺(tái)、相關(guān)核心關(guān)鍵技術(shù)及工藝的研究參數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)和性能檢測(cè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)。