近日，南亞科技股份有限公司稱，公司已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展，南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉，除可改善成本，南亞科成功自主開發(fā) 10 納米制程技術(shù)，將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機(jī)會與技術(shù)進(jìn)展。

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，南亞科已成功開發(fā)出 10 納米 DRAM 新型記憶體生產(chǎn)技術(shù)，使 DRAM 產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個時代。第一代的 10 納米前導(dǎo)產(chǎn)品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5 將建構(gòu)在自主制程技術(shù)及產(chǎn)品技術(shù)平臺，2020 下半年后將進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)。

第二代 10 納米制程技術(shù)已開始研發(fā)階段，預(yù)計 2022 年前導(dǎo)入試產(chǎn)，后續(xù)會開發(fā)第三代 10 納米制程技術(shù)。他強(qiáng)調(diào)，南亞科進(jìn)入 10 納米制程之后，會以自行研發(fā)的技術(shù)為主，降低授權(quán)費用支出，能大幅提升效能。

據(jù)了解，全球 DRAM 內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá) 95% 以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。

南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的 10nm 級內(nèi)存，未來將自產(chǎn) DDR4/LPDDR4/DDR5 等內(nèi)存顆粒。

在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有 2% 左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK 海力士轉(zhuǎn)向 1X、1Y、1Znm 工藝之后，南亞的主力還是 30nm 等，來自美光授權(quán)，這兩年才搞定 20nm 內(nèi)存，也是授權(quán)+合作研發(fā)的模式，南亞上次自己搞內(nèi)存研發(fā)還是 99nm 時代。

南亞科技股份有限公司成立于 1995 年 3 月 4 日，致力于 DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)之研發(fā)、設(shè)計、制造與銷售，并在美國、歐洲、日本、大陸設(shè)立營銷點，其最大股東為臺塑集團(tuán)之南亞塑料股份有限公司。