DRAM供不應求短期難解，全球DRAM制造龍頭南韓三星半導體通知通路商，計劃明年第1季再調漲DRAM報價，漲幅3~5%， 其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下，仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現(xiàn)，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產(chǎn)，打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。

臺灣DRAM大廠也強調，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向，預料即使三星調升部分產(chǎn)線，增加的DRAM產(chǎn)出仍無法滿足市場需求， 預料明年DRAM還是處于供貨短缺，產(chǎn)業(yè)還是會相當健康的一年。

三星和SK海力士目前主宰全球逾75%的DRAM市場，因此二大廠的發(fā)展策略，也成為關注焦點。 近期市調機構認為，三星在連續(xù)多季高獲利下，手中現(xiàn)金充裕，可能調整部分產(chǎn)線，增產(chǎn)DRAM。

內存通路商表示，三星增產(chǎn)DRAM仍主要著眼小量提升。 由于三星仍通知明年第1季仍將調漲DRAM合約價，雖然漲幅較本季收斂，約上漲3~5%，但也很清楚反映三星不想打破現(xiàn)有DRAM供需失衡，讓價格失序。

業(yè)者分析，雖然中國大陸傾國家之力全力發(fā)展內存，但目前三大廠包括三星、SK海力士及美光全力防堵，美光甚至動用美中臺等檢調單位進行調查，防止營業(yè)秘密和硅智財遭竊，已達到恫嚇效果，中國大陸短期難在DRAM領域難以突圖， 三大廠不可能此時自廢武功，犧牲DRAM獲利，減少未來在3D 儲存型閃存(NAND Flash)即將面臨的激烈戰(zhàn)火。

內存通路商強調，三星明年計劃再調漲DRAM合約價，將創(chuàng)下史上漲勢最長且漲幅最大的紀錄，主因來自各項應用相當強勁，尤其數(shù)據(jù)中心對服務器需求增幅相當大，大舉排擠行動式內存DRAM產(chǎn)能， 三星因而在本季調漲行動式DRAM報價10~15%，而在蘋果新機iPhone X預購優(yōu)于期，加上中國大陸品牌手機廠機海也齊發(fā)，再者智能汽車、AI(人工智能)，對要求高頻運算的DRAM需求有增無減， 都讓DRAM成為當前最火紅的半導體組件，預料明年缺貨還是難解。

DRAM市場現(xiàn)階段仍呈現(xiàn)供需稍有吃緊的榮景，包括三星、美光、SK海力士，與南亞科、華邦電等業(yè)者都受惠。 不過，研調機構集邦科技示警，傳出三星方面考慮擴大DRAM產(chǎn)能，這可能改變目前供給緊俏的局面。

由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴張的幅度有限，加上制程轉換過程具有難度，DRAM供給量成長幅度明顯較往年放緩。