中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。

梁孟松表示，28nm工藝在整個2018年將占據(jù)中芯國際出貨量的5-10%，其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly-SiON。

2017年第四季度，中芯國際深圳200毫米晶圓廠的產(chǎn)能為442750塊晶圓，2018年第一季度提升至447750塊，平均產(chǎn)能利用率也提高到88.3%。

同時，來自電源管理IC的需求也越來越高，200毫米晶圓廠正全力生產(chǎn)，高壓BCD工藝則轉(zhuǎn)向其300毫米晶圓廠。

2017年，中芯國際收入31.01億美元，同比增長6.4%，毛利率23.9%，同比下降5.3個百分點，凈利潤10.81億美元，同比增長10.6%。

其中，28nm工藝貢獻(xiàn)的收入增長4.4倍創(chuàng)造新高，總體占比為8.0%，

中芯國際聯(lián)系CEO趙海軍透露，2018年第一季度中芯國際收入8.31億美元，毛利率26.5%，研發(fā)投入1.23億美元，預(yù)計第二季度收入環(huán)比增長7-9%，毛利率23-25%。

趙海軍表示，中芯國際40%的收入都來自中國內(nèi)地。