據(jù)businessKorea報(bào)道，三星已開(kāi)始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。

三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。

這種解決方案無(wú)需在數(shù)據(jù)記¼期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫(xiě)入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很優(yōu)秀。

三星將FD-SOI工藝與嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合。在FD-SOI工藝中，硅片上覆蓋一層絕緣膜，在頂部形成晶體管。它的特點(diǎn)是大大降低了晶體管運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的©電流。該公司在FD-SOI進(jìn)程中添加了嵌入式內(nèi)存技術(shù)。嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)是一種存儲(chǔ)模塊，用于小型電子設(shè)備的微控制器單元(MCU)和片上系統(tǒng)(SoC)等系統(tǒng)半導(dǎo)體中存儲(chǔ)信息。

三星電子表示，該解決方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以通過(guò)在當(dāng)前基于邏輯流程的設(shè)計(jì)中添加最少的層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而減輕了公司進(jìn)行新設(shè)計(jì)的負(fù)擔(dān)，并降低了生產(chǎn)成本。三星計(jì)劃擴(kuò)大其嵌入式內(nèi)存解決方案，從今年生產(chǎn)1塊Gbe MRAM測(cè)試芯片開(kāi)始。

行業(yè)分析師表示，隨著eMRAM的推出，三星將增加其代工銷(xiāo)售，同時(shí)增強(qiáng)其在代工方面的競(jìng)爭(zhēng)力，以確保在δ來(lái)半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地λ。

三星計(jì)劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。