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[導(dǎo)讀]在臺積電的7nm+、6nm甚至5nm工藝之下,英特爾已經(jīng)顧不上再宣傳自家的14nm++相比其他工藝如何優(yōu)秀。在近日的投資者日活動上,英特爾新任首席執(zhí)行官司睿博(BobSwan)向大家介紹了其制造能力方面的信息。

在臺積電的7nm+、6nm甚至5nm工藝之下,英特爾已經(jīng)顧不上再宣傳自家的14nm++相比其他工藝如何優(yōu)秀。在近日的投資者日活動上,英特爾新任首席執(zhí)行官司睿博(BobSwan)向大家介紹了其制造能力方面的信息。

10nm一·跳票并最終在工藝制程落后于其他制造商,對于英特爾來說是個尷尬的話題。

司睿博介紹了其中的原因,主要在于2013年的計劃“步子邁的太大”,想用四重曝光、COAG、Cobolt互聯(lián)以及Foveros3D堆疊等技術(shù)將晶體管密度一下提升到14nm的2.7倍。事實證明這個計劃低估了工藝難度,導(dǎo)致原本預(yù)計在2016年實現(xiàn)的10nm工藝被迫一步步推遲到2019年。

停滯在14nm的這幾年中,英特爾持續(xù)改進(jìn)工藝細(xì)節(jié),并獲得了超過20%的性能提升,并且為δ來的新節(jié)點做好了充分的準(zhǔn)備。

今年6月會有10nm的IceLake上市,不過僅限筆記本移動平臺。桌面平臺請繼續(xù)等10nm+……

盡管10nm才剛剛要起步,英特爾已將7nm工藝上馬節(jié)點設(shè)定在2年后的2021年。英特爾在改進(jìn)型7nm+上計劃使用EUV光刻,應(yīng)用下一代Foveros和EMIB封裝技術(shù),并實現(xiàn)相比10nm的雙倍擴(kuò)展。最終這個計劃能夠按期實現(xiàn)還是比較讓人擔(dān)心的。

除此之外,F(xiàn)overos和EMIB封裝技術(shù)還將應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心處理器以及GPU加速芯片當(dāng)中。

玩家們一直念叨的英特爾獨立顯卡項目,Xe架構(gòu)的GPU處理器將在2021年以7nm工藝制造出來,并面向數(shù)據(jù)中心、AI人工智能以及HPC高性能計算領(lǐng)域。桌面獨立顯卡應(yīng)用尚無時間表。

英特爾目前還在10nm進(jìn)度上苦追進(jìn)度,小編覺得7nm的產(chǎn)品·線圖我們還是等明年再看吧,PPT總是很善變的。AMD能否憑借7nm工藝在效率而不僅僅是核心數(shù)量上超越英特爾,這才是今年夏天的重磅看點。英特爾的10nm制程處理器終于可以大規(guī)模上市了,從目前的節(jié)奏來看,移動平臺率先體驗到10nm處理器,目前還不清楚10nm究竟帶來多達(dá)提升,不過對于絕大多數(shù)看客而言,10nm來了才是最關(guān)鍵的。

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