導(dǎo)語(yǔ)：近日，三星在Samsung Foundry Forum大會(huì)上，宣布了一個(gè)重磅炸彈，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工藝已經(jīng)在開(kāi)發(fā)中了，與7nm技術(shù)相比，三星的3GAE工藝將減少45％芯片面積％，功耗降低50％，性能提高35％，同時(shí)預(yù)計(jì)在 2021年量產(chǎn)，將服務(wù)于人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)、5G網(wǎng)絡(luò)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)（物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及高級(jí)數(shù)據(jù)中心等諸多領(lǐng)域。

而三星電子鑄造業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人ES Jung博士也稱：“我們站在第四次工業(yè)革命的邊緣，這是一個(gè)高性能計(jì)算和連接的新時(shí)代，這將推動(dòng)地球上每個(gè)人的日常生活，三星的路線圖包括四種基于FinFET的工藝，從7nm到4nm，采用極紫外（EUV）技術(shù)以及3nm GAA或MBCFET。而在今年下半年，三星計(jì)劃開(kāi)始批量生產(chǎn)6nm工藝產(chǎn)品并完成4nm工藝的開(kāi)發(fā)。

三星5nm FinFET工藝的產(chǎn)品設(shè)計(jì)于4月開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)將于今年下半年完成，并將于2020年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，進(jìn)展非常迅猛！

在本次的 SFF 上，三星表示，第一批 3nm 芯片針對(duì)智能手機(jī)以及其他移動(dòng)設(shè)備，將于 2020 年進(jìn)行測(cè)試，2021 年量產(chǎn)。而對(duì)于性能要求更高的芯片，如圖形處理器和數(shù)據(jù)中心的 AI 芯片，將于 2022 年到來(lái)。