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[導讀]Synopsys推出DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫

21ic訊 新思科技有限公司(Synopsys, Inc.)日前宣布:即日起推出其用于臺灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)28納米高性能(HP)和移動高性能(HPM)工藝技術(shù)的DesignWare®嵌入式存儲器和邏輯庫知識產(chǎn)權(quán)(IP)。Synopsys的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫專為提供高性能、低漏電及動態(tài)功率而設計,使工程師們能夠優(yōu)化其整個系統(tǒng)級芯片(SoC)設計的速度與能效,這種平衡在移動應用中至關重要。與DesignWare STAR Memory System®的嵌入式測試與修復技術(shù)相結(jié)合,Synopsys的嵌入式存儲器和標準元件庫為設計者提供了一個先進、全面的IP解決方案,可生成高性能、低功耗的28納米SoC,并降低了測試與制造成本。

“作為一家為各種移動計算設備提供處理器和圖形器件的供應商,我們依靠Synopsys來提供驗證過的、高質(zhì)量的IP,它幫助我們在滿足嚴苛的功率預算的條件下,同時可提供更高水平的性能。”AMD公司資深存儲器設計經(jīng)理Spencer Gold說道,“在我們采用65、55和40納米工藝的產(chǎn)品中,有許多已經(jīng)采用了DesignWare嵌入式存儲器并取得了流片成功,而最近又將這種成功延伸到28納米技術(shù)節(jié)點。通過利用Synopsys IP中一種先進的功率管理模式的組合,我們能夠在性能不打折扣的情況下,實現(xiàn)功耗的顯著降低。”

“作為一家面向移動和消費性設備開發(fā)高清視頻解決方案的領先廠商,在我們的移動多媒體處理器SoC設計中,借助能夠同時實現(xiàn)高性能和低功耗的技術(shù)極為重要”,Movidius公司IC開發(fā)總監(jiān)Brendan Barry說道。“性能每優(yōu)化一瓦特,對于我們在諸如移動3D等應用中的成功都很關鍵。DesignWare邏輯庫通過高效的綜合,給我們帶來快速的關鍵時序路徑收斂和用多溝道單元修復漏電流。 此外,DesignWare嵌入式存儲器獨特的功率管理功能,如淺層休眠模式,可將存儲器的漏電功率降至一半,已經(jīng)幫助我們在仍能滿足我們性能指標的同時,實現(xiàn)了能源的顯著節(jié)省。”

新的DesignWare IP擴展了Synopsys豐富的、包括高速低功率存儲器和標準元件庫的產(chǎn)品組合,其發(fā)貨量已經(jīng)超過了十億片芯片,并可支持從180納米到28納米一系列代工廠與工藝。DesignWare 28納米邏輯庫利用多種閾值變量與柵極長度偏移組合,來為多樣化的SoC應用提供最佳性能與功率消耗。這些邏輯庫提供多樣的、易于綜合的單元集及布線器友好的標準單元庫架構(gòu),它們專為基于最小的芯片面積和高制造良品率的數(shù)GHz級性能而設計。功率優(yōu)化包(POK)為設計師提供了先進的功率管理能力,它們由廣受歡迎的低功耗設計流程支持,包括關斷、多電壓和動態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)。

將高速度、高密度和超高密度組合在一起的DesignWare嵌入式存儲器,為設計師在其SoC中所用的每個存儲器實現(xiàn)性能、功率和面積的平衡帶來了靈活性。對于諸如移動設備等功率敏感應用,所有的Synopsys 28納米存儲器都整合了源偏壓和多種功率管理模式,可明顯地減少漏電與動態(tài)功率消耗。Synopsys的超高密度兩端口靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)和16Mbit單端口SRAM編譯器,相比于標準的高密度存儲器可進一步降低面積尺寸和漏電高達40%,可使SoC開發(fā)者實現(xiàn)融合了高性能、小體積和極低功耗的差異化存儲器。

DesignWare STAR存儲器系統(tǒng),在與Synopsys的嵌入式存儲器集成后,可提供比傳統(tǒng)的附加式內(nèi)置自測試(BIST)和修復方案更小的面積和更快的時序收斂,同時還提供流片后調(diào)試和診斷性能。這縮短了設計時間、降低了測試成本并提高了制造良品率。

 “作為任何SoC設計的基礎單元,標準元件庫和嵌入式存儲器在性能方面扮演著重要的角色,最終功率和面積的優(yōu)化可在芯片完成過程中就得以實現(xiàn)”,Synopsys IP和系統(tǒng)市場營銷副總裁John Koeter說道。“Synopsys經(jīng)芯片生產(chǎn)驗證的嵌入式存儲器和邏輯庫集成套件,可使SoC設計團隊能夠?qū)崟r微調(diào)其整個芯片,以用盡可能最小的功率消耗來獲得最大的性能。通過將我們的邏輯庫與處理器產(chǎn)品組合擴展到TSMC 28納米HP和HPM工藝,Synopsys將使設計者能夠充分利用這些工藝的速度和功率特性。因此,他們能更好地滿足用更低的風險和更快地進入量產(chǎn)來達到其創(chuàng)造真正差異化產(chǎn)品的目標。”

供貨
用于TSMC的28HP和28HPM工藝的DesignWare嵌入式存儲器和邏輯庫是DesignWare Duet Package的一部分,它包括各種SRAM、ROM、標準單元、功率優(yōu)化包(POK)和過驅(qū)動/低電壓PVT。用于TSMC的28HP和28HPM工藝的Duet Package現(xiàn)已可供貨。
 

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