東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結(jié)構。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用 3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術，實現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進步印證了東芝專有架構的潛力。東芝將不斷精進BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。

這款新型存儲器沿襲48層BiCS FLASHTM，并采用領先的64層堆疊工藝，使每個單元芯片的容量比48層堆疊工藝增加40%，在降低每比特成本的同時提高每個硅晶圓的存儲容量的可加工性。64層BiCS FLASHTM滿足嚴格的性能規(guī)范，將用于包括企業(yè)級SSD和消費級SSD、智能手機、臺式電腦和存儲卡等存儲相關應用。

東芝自2007年6月發(fā)布世界首款3D[3] NAND閃存存儲技術原型以來，一直致力于積極推進BiCS FLASHTM發(fā)展，以滿足市場對于更小尺寸且更大容量的存儲需求。

東芝已于本月初在日本四日市的Fab2新廠生產(chǎn)該新型64層BiCS FLASHTM，并計劃于2017年上半年開始量產(chǎn)。

注：

[1] 棧式結(jié)構閃存存儲器單元垂直于硅基板，大大提高了密度，并超過二維NAND閃存存儲器，單元在硅基板上形式。

[2] 截至至2016年7月，東芝調(diào)查

[3] 東芝提出，2017年6月12日

*BiCS FLASH是東芝公司的商標。